Xây dựng mô hình đánh giá tương tác nhiễu điện từ mạnh với các phương tiện vô tuyến điện

Nghiên cứu khoa học công nghệ 
Tạp chí Nghiên cứu KH&CN quân sự, Số Đặc san FEE, 08 - 2018 117
XÂY DỰNG MÔ HÌNH ĐÁNH GIÁ TƯƠNG TÁC NHIỄU 
ĐIỆN TỪ MẠNH VỚI CÁC PHƯƠNG TIỆN VÔ TUYẾN ĐIỆN 
Nguyễn Đức Trường1, Lê Kỳ Biên2, Nguyễn Huy Hoàng 3* 
Tóm tắt: Các phương tiện vô tuyến điện hoạt động trong điều kiện chịu ảnh 
hưởng của rất nhiều các yếu tố, trong đó các nguồn gây ra xung điện từ sẽ tác động 
trực tiếp đến khả năng hoạt động của thiết bị vô tuyến. Các xung điện từ này được 
hình thành từ các nguồn từ bên ngoài như: các trạm thu phát vô tuyến truyền hình, 
thông tin, sét, đường dây truyền tải điện cao thế, nguồn bên trong như:các biến áp, 
cuộn dây, các thiết bị ngắt điện và chuyển mạch Để đảm bảo các yêu cầu của 
tương thích điện từ và độ bền của các phương tiện vô tuyến điện đối với tác động 
của xung điện từ mạnh, thì các nguồn nhiễu được các nhà chế tạo quan tâm trước 
hết, vì chúng tạo ra các vùng bất lợi cho hoạt động của thiết bị vô tuyến điện. Bài 
báo đề cập đến một mô hình tương tác của nhiễu điện từ mạnh sẽ ảnh hưởng như 
thế nào đối với các phương tiện vô tuyến trong các điều kiện khác nhau. 
Từ khóa: Tương tác; Nhiễu điện từ; Xung điện từ; Tương thích điện từ. 
1. ĐẶT VẤN ĐỀ 
Các phần tử và mạch kỹ thuật điện được sử dụng rộng rãi trong các thiết bị vô tuyến. 
Chúng đóng vai trò rất lớn trong các hệ thống vô tuyến: các nguồn điện, bộ chuyển mạch, 
bộ làm nóng, bộ làm lạnh, bộ chiếu sáng v.v. Các phần tử và mạch kỹ thuật điện này 
khuếch tán ra công suất tương đối lớn, sinh ra các xung điện từ mạnh làm ảnh hưởng tới 
các mạch điện tử. Các nguồn xung nhiễu này thường được tạo ra từ các phần tử kỹ thuật 
điện như sau: 
Biến áp và các cuộn dây. Trong các mạch kỹ thuật điện thì biến áp và các cuộn dây là 
những nguồn sinh ra từ trường và điện trường tương đối mạnh, có thể gây nhiễu lên các 
phần tử và mạch vô tuyến. Việc cách ly những loại trường này đối với thiết bị vô tuyến 
bằng cách che chắn là biện pháp chính để đảm bảo EMC [2]. 
Thiết bị ngắt điện và chuyển mạch. Khi đóng và mở nguồn bằng các tiếp điểm cơ học 
sẽ gây ra việc thay đổi dòng và điện áp, điều này sẽ dẫn đến tạo ra nhiễu điện trường 
mạnh. Đôi khi sự đóng mở xảy ra không cố ý do bị rung lắc hoặc quá tải[2,3]. Sự đánh lửa 
hoặc hồ quang điện giữa các mặt tiếp xúc sẽ làm hỏng tiếp điểm và tạo ra nhiễu không cố 
ý. Mức nhiễu có thể tăng nhanh theo quá trình phá huỷ tiếp điểm. Sự nhảy dòng lớn 
thường xảy ra trong các mạch có tải mang tính chất điện dung; sự nhảy điện áp lớn thì hay 
xảy ra trong các mạch có tải mang tính chất điện cảm; đối với tải thuần tích cực thì dòng 
và điện áp không vượt quá mức thiết lập.Việc sử dụng các dụng cụ bán dẫn làm bộ chuyển 
mạch sẽ hạn chế được hồ quang điện và sự đánh lửa tuy nhiên lại xảy ra quá trình quá độ 
và sự đột biến lớn của dòng và điện áp sẽ sinh ra nhiễu xung mạnh. 
Rơ le điện từ. Các bộ chuyển mạch và các cuộn cảm có điều khiển là những vật gây 
nên nhiễu từ trường mạnh. Việc đóng và ngắt các tiếp điểm sẽ kéo theo quá trình tạo 
nhiễu, thời gian tồn tại có thể kéo dài đến vài ms. Cũng có các loại nhiễu sinh ra do sự 
rung lắc và va đập cơ học [2,3]. Rơle gây ra nhiễu lên các mạch khác. Cũng có thể tạo ra 
nhiễu lên các rơle khác trong các bộ chuyển mạch nhiều vị trí - đó gọi là nhiễu xuyên. 
Chổi quét của các máy điện. Các cặp tiếp xúc trượt của máy điện là nguồn gây nhiễu 
không cố ý, do có sự nhảy dòng và điện áp ở đó mà sinh ra hiện tượng đánh lửa và tăng 
điện trở tiếp xúc do sự oxy hóa, bụi bẩn và ăn mòn cơ học. Áp lực của chỗi quét lên cổ 
Kỹ thuật Điện tử – Thông tin 
 N. Đ. Trường, L. K. Biên, N. H. Hoàng, “Xây dựng mô hình đánh giá  vô tuyến điện.” 118 
góp và do đó mật độ dòng qua mặt trượt tạo ra nhiễu xung điện từ mạnh. Các động cơ điện 
và máy phát điện một chiều sinh ra nhiễu do sự chuyển mạch của các cuộn dây phần ứng. 
Sự đột biến dòng ở phần ứng và sự đánh lửa của chổi điện là nguyên nhân chính gây ra 
nhiễu. Mức nhiễu của máy điện một chiều rất cao và đa dạng theo thành phần phổ [2]. 
Các nguồn phát sáng. Các đèn huỳnh quang là nguồn nhiễu mạnh với phổ rộng đến 10 
MHz hoặc trong một số trường hợp có thể lên đến 100 MHz. Nguồn nhiễu là do cột khí 
ion hóa, sinh ra và mất đi 100 lần trong một giây với nguồn điện có tần số 50 Hz. Sự nhảy 
dòng trong các mạch nguồn cũng gây nên nhiễu xung điện từ mạnh [3]. 
Các phương tiện vô tuyến điện hoạt động trong điều kiện chịu sự tác động, ảnh hưởng 
từ các nguồn nhiễu trên nên việc khảo sát xây dựng mô hình đánh giá sự tác động của 
nhiễu xung điện từ mạnh lên sự hoạt động của các phương tiện vô tuyến điện là hết sức 
cần thiết, nhất là trong môi trường quân sự. 
2. KHẢ NĂNG LÀM VIỆC CỦA MÁY THU PHÁT VÔ TUYẾN 
TRONG ĐIỀU KIỆN TÁC ĐỘNG CỦA NHIỄU ĐIỆN TỪ MẠNH 
Khi triển khai đánh giá tính toán- thực nghiệm về độ bền của các phương tiện vô tuyến 
điện đối với tác động của nhiễu xung điện từ mạnh đòi hỏi phải sử dụng mô phỏng trên 
máy tính và thực hiện các nội dung sau đây: 
- Đặt bài toán và chọn thuật toán chung để giải nó; 
- Mô tả toán học bài toán (chọn các công thức toán học - mô hình hiện tượng); 
- Lập sơ đồ khối của chương trình và viết chương trình trên một ngôn ngữ lập trình 
nào đó. 
 Để đảm bảo các yêu cầu của tương thích điện từ và độ bền của các phương tiện vô 
tuyến điện đối với tác động của xung điện từ mạnh, thì các nguồn nhiễu xung mạnh được 
các nhà chế tạo quan tâm trước hết, vì chúng tạo ra các vùng bất lợi cho hoạt động của 
thiết bị vô tuyến điện, vì vậy, vấn đề cần nghiên cứu ở đây là tập trung vào xây dựng mô 
hình đánh giá tương tác của nhiễu điện từ mạnh với các phương tiện vô tuyến điện, từ đó 
xây dựng thuật toán tối ưu đánh giá tương thích điện từ trường cho các thiết bị vô tuyến. 
2.1. Sự tác động của nhiễu điện từ mạnh lên máy thu phát vô tuyến điện 
Để đánh giá sự tác động của nhiễu điện từ mạnh lên máy thu phát vô tuyến, cần phải có 
thông tin ban đầu về nhiễu điện từ mạnh đang tác động, trong bài báo này giả thiết rằng 
nhiễu điện từ mạnh là xung hàm mũ dạng: 
() = [exp(−) − exp(−)],	() = ()/ 
trong đó, a là hệ số suy giảm, t là thời gian tác động 
Xung nhiễu này sẽ tác động lên một máy thu phát vô tuyến có cấu hình tối thiểu như 
trên hình 1 với các thông số đã xác định [8]. 
Để chọn đối tượng chịu sự tác động của xung điện từ, ta xét sơ đồ cấu trúc điển hình 
của một máy thu phát vô tuyến (Hình 1), đã được nêu trong tài liệu [8]. Khi tiến hành phân 
tích hoạt động của máy thu phát trong điều kiện tác động của nhiễu điện từ mạnh, ta cần 
phải biết: tần số mang (có ích) của tín hiệu; dải thông của tuyến cao tần máy thu; dải thông 
của máy thu nói chung; độ nhạy máy thu; diện tích hiệu dụng của anten cho hướng đến có 
thể của nhiễu; các đặc điểm của tấm chắn (các tấm chắn); các đặc trưng của các cáp và các 
dây dẫn (tuyến liên lạc). 
Lý tưởng hóa quá trình làm việc của máy thu phát vô tuyến trong điều kiện tác động 
trường điện từ mạnh, ta có sơ đồ khối như sau: 
Nghiên cứu khoa học công nghệ 
Tạp chí Nghiên cứu KH&CN quân sự, Số Đặc san FEE, 08 - 2018 119
Hình 1. Sơ đồ khối của máy thu phát vô tuyến. 
Từ sơ đồ khối tổng quát của máy thu phát vô tuyến, ta có sơ đồ tổng quát về tác động 
của nhiễu điện từ mạnh đối với máy thu phát vô tuyến đang khảo sát được thể hiện trên 
Hình 2. 
Hình 2. Các con đường có thể thâm nhập của nhiễu 
điện từ mạnh vào mạch máy thu phát vô tuyến. 
Từ Hình 2, có thể thấy có các phương thức thâm nhập của nhiễu điện từ mạnh vào máy 
thu vô tuyến, cụ thể là: 1- qua đường khuếch đại biên-pha; 2 - qua các tấm chắn bảo vệ 
Kỹ thuật Điện tử – Thông tin 
 N. Đ. Trường, L. K. Biên, N. H. Hoàng, “Xây dựng mô hình đánh giá  vô tuyến điện.” 120 
chống tác động lên các khối, sơ đồ và tuyến liên lạc; 3- qua hệ thống tiếp đất. Điều đó 
chứng tỏ rằng, nhiễu điện từ mạnh có ảnh hưởng rất nhiều lên các bộ phận của máy thu và 
càng làm cho việc ngăn chặn, giảm ảnh hưởng của nó trở lên phức tạp và đòi hỏi cần phải 
có một giải pháp tổng thể. 
2.2. Xây dựng thuật toán mô phỏng đánh giá khả năng làm việc của máy thu vô 
tuyến điện trong điều kiện nhiễu điện từ mạnh 
Hình 3. Lưu đồ thuật toán đánh giá độ bền của máy thu 
vô tuyến đối với tác động của nhiễu điện từ mạnh. 
Nghiên cứu khoa học công nghệ 
Tạp chí Nghiên cứu KH&CN quân sự, Số Đặc san FEE, 08 - 2018 121
Việc đánh giá khả năng làm việc của máy thu vô tuyến trong điều kiện tác động của 
nhiễu điện từ mạnh phải bao gồm các bước thực hiện sau đây: 
- Chuẩn bị các số liệu ban đầu về tác động của nhiễu điện từ mạnh, về tín hiệu có ích và 
các đặc trưng chính của máy thu vô tuyến; 
- Tính toán các thông số nhiễu do tác động của nhiễu điện từ mạnh theo từng đường 
thâm nhập của nó, tổng của chúng và đưa đến các điểm tới hạn của thiết bị thu vô tuyến 
(đầu vào máy thu, đầu vào và đầu ra thiết bị xử lý và hình thành thông tin); 
- Xác định tỷ lệ 
2
kq = tín/(tạp+nhiễu) tại các điểm tới hạn của thiết bị thu vô tuyến; 
- Nếu giá trị thông số 
2
kq 
 thu được nhỏ hơn giá trị cho trước, thì thay đổi các số liệu 
ban đầu và tính toán lại. 
Phân tích đánh giá độ bền của thiết bị thu vô tuyến đối với tác động của nhiễu điện từ 
mạnh, ta có lưu đồ thuật toán được trình bày trên hình 3. 
2.3. Viết chương trình 
Đặt bài toán: Đánh giá các thông số nhiễu trong tuyến thu (Hình 1), vốn xuất hiện bởi 
một phần nhiễu điện từ mạnh đi qua bộ khuếch đại biên độ-pha. 
Các thông tin ban đầu về phương tiện vô tuyến điện và về nhiễu điện từ mạnh đang tác 
động đã được nêu trong phần 1. 
Các công thức toán học được sử dụng: 
	. ≪ 	
Δ

	 (1) 
	 =


∫ () cos[ − ()] 	


	 (2) 
	 =


∫ [()]
	


	 (3) 
	() = ()ℎ/2	(4) 
	 = . /2	 (5) 
Cho các xung nhiễu điện từ mạnh, vốn có phổ tần số tương đối thấp, (nguồn của chúng 
là các tia lửa điện) và tần số làm việc của máy thu vô tuyến lớn hơn 100MHz, để tính toán 
ta sử dụng các công thức sau đây: 
	. =
()
(∗
)
	 (6) 
	() =
()[()()]
∗

	 (7) 
	() =
() (/)
∗

	 (8) 
	() =
()
∗

	(9) 
	 =
()

 (∗
)


(∗
)
	(10) 
Kỹ thuật Điện tử – Thông tin 
 N. Đ. Trường, L. K. Biên, N. H. Hoàng, “Xây dựng mô hình đánh giá  vô tuyến điện.” 122 
	 =
()
∗
.
	 (11) 
 λ = K/Txc (12) 
Trong các công thức (1) - (12), ngoài các ký hiệu thông dụng, còn sử dụng các ký hiệu 
sau đây: ( ), ( )tr tr maxE t E t cường độ thành phần điện của nhiễu điện từ mạnh, đã được 
tính chuyển sang dải thông của tuyến thu 2 f , và giá trị cực đại của nó nếu 
điều kiện 2.1 được thỏa mãn bởi ảnh hưởng của nhiễu điện từ mạnh hoạt động trên tuyến 
thu, V/m; 0 ( )trE t tương ứng các đường bao của ( )trE t và 0 ( )trE t , V/m;  - mật 
độ dòng năng lượng của nhiễu, tính chuyển sang dải thông của tuyến thu, 
2/J m ; Wa : 
năng lượng nhiễu trên đầu vào máy thu, tính chuyển sang dải thông của nó, J; ( )au t 
điện áp nhiễu trên đầu vào máy thu, được tính chuyển sang dải thông của nó. 
3. TÍNH TOÁN VÀ THẢO LUẬN 
Để cụ thể, ta lấy: 
51,2.10t s - vùng có thể có tín hiệu bị trễ; 
74.10 s - trễ cực tiểu mong đợi giữa mặt trước tín hiệu trên đầu vào và 
đầu ra của mạch đang khảo sát; 
7
0 5.10E s
 - độ dài của tín hiệu bị trễ ở mức 0,1 mU và 0,9 mU ; 
73.10at s
 - thời gian nhiễu tác động;
 1mU V - giá trị biên độ cực đại của tín hiệu bị trễ. 
Các kết quả tính toán được trình bày tại các bảng 1 - 4. 
Bảng 1. Sự phụ thuộc của độ chính xác đo   
vào chu kỳ lặp của các xung cửa. 
Số lượng cửa K trên 
khoảng 1 2t t 
6 10 14 18 22 26 
Giá trị   , ns 680,7 700,5 694,8 691,9 693,6 693,5 
Sai số đo tuyệt đối tdt , ns 13,25 6,646 1,287 1,714 0,392 0,521 
Sai số đo tương đối  ,% 1,947 0,949 0,185 0,248 0,057 0,075 
Bảng 2. Sự phụ thuộc của độ chính xác đo   vào độ chính 
xác đo biên độ raU tại thời điểm kt khi K = 26. 
Sai số đo raU , % 0,5 1,0 2,0 3,0 4,0 5,0 
Giá trị   , ns 679,4 685,2 696,4 706,3 715,9 723,5 
Sai số đo tuyệt đối tdt , ns 4,982 10,41 21,05 31,09 40,41 48,92 
Nghiên cứu khoa học công nghệ 
Tạp chí Nghiên cứu KH&CN quân sự, Số Đặc san FEE, 08 - 2018 123
Sai số đo tương đối   , % 0,733 1,519 3,023 4,402 5,645 6,762 
Bảng 3. Sự phụ thuộc của độ chính xác đo   vào độ bất ổn định 
của vị trí thời gian của các xung cửa (tử số khi K = 6, mẫu số khi K = 26). 
Độ bất ổn định tương đối 
1t 
0 310 210 3. 210 6. 210 9. 210 
Giá trị   , ns 800,1 800,21 803,05 809,77 821,20 833,95 
800,1 800,06 903,71 811,30 823,45 836,54 
Sai số đo tuyệt đối tdt , ns 0 0,2142 0,9438 2,2253 2,7949 2,0447 
0 0,0641 0,2849 0,6818 0,5457 0,5429 
Sai số đo tương đối   , 
% 
0 0,0267 0,1175 0,2748 0,3403 0,2452 
0 0,0080 0,0354 0,0852 0,0662 
Bảng 4. Sự phụ thuộc độ chính xác đo   vào sai số đo vị trí 
thời gian của xung cửa (tử số khi K=6, mẫu số khi K=26). 
Sai số đo kt , % 1 4 8 12 16 20 
Giá trị   , ns 802,08 808,34 816,69 825,04 833,38 841,73 
802,14 808,59 817,17 825,76 834,35 842,94 
Sai số đo tuyệt đối tdt , 
ns 
2,0863 8,3453 16,691 25,036 33,381 41,727 
2,1469 8,5878 17,176 25,763 34,351 42,939 
Sai số đo tương đối   , 
% 
0,2601 1,0324 2,0437 3,0345 4,0055 4,9578 
0,2676 1,0620 2,1018 3,1199 4,1171 5,0939 
Nhìn vào Bảng 1, ta nhận thấy: khi số lượng các xung cửa tăng lên thì giá trị đo thời 
gian trễ của tín hiệu cũng tăng lên, nhưng sai số tương đối đo khoảng thời gian đã giảm đi 
chứng minh rằng độ chính xác đo thời gian trễ phụ thuộc vào chu kỳ lặp của xung cửa. Ở 
Bảng 2, tiếp tục khảo sát khi giữ nguyên chu kỳ lặp xung của thì tương ứng với sai số đo 
biên độ điện áp Ura tại thời điểm tăng lên thì sai số đo tương đối thời gian trễ cũng tăng lên 
cho thấy sự gia tăng của điện áp nhiễu đã ảnh hưởng trực tiếp đến sai số đo thời gian trễ. 
Tại các bảng 3 và 4 tiếp tục khảo sát với việc đánh giá sự phụ thuộc của độ chính xác đo 
thời gian trễ   của tín hiệu thu vào độ không ổn định của vị trí các xung cửa và sai số đo 
vị trí thời gian của các xung cửa đầu vào máy thu. Khi độ không ổn định tăng lên thì 
khoảng thời gian   tăng lên, dẫn đến sai số đo   tăng lên. 
Dễ dàng nhận thấy rằng việc nghiên cứu mô hình đo thời gian   khi có tác động của 
nhiễu điện từ trường mạnh trên máy tính cho phép đánh giá được một số giải pháp sau đây: 
- Xác định chu kỳ lặp của xung cửa Tc cần thiết để đảm bảo độ chính xác cho phép khi 
đo   ; 
- Đánh giá ảnh hưởng của các yếu tố không ổn định và sai số các phép đo kt , raU đến 
độ chính xác đo   ; 
- Đưa ra các khuyến nghị cần lưu ý khi thiết kế và sử dụng thiết bị đo thời gian trễ. 
Kỹ thuật Điện tử – Thông tin 
 N. Đ. Trường, L. K. Biên, N. H. Hoàng, “Xây dựng mô hình đánh giá  vô tuyến điện.” 124 
4. KẾT LUẬN 
Việc nghiên cứu, đánh giá các tác động của xung điện từ mạnh lên sự hoạt động của 
các phương tiện vô tuyến điện đã có nhiều nơi nghiên cứu và áp dụng vào thực tiễn. Một 
số kết quả nghiên cứu đã đưa ra những phương pháp chống nhiễu điện từ mạnh như sử 
dụng các tấm che chắn, tăng công suất máy phát, triệt tiêu các xung cao áp trong hệ thống 
cáp, dây dẫn điện, nâng cao độ tin cậy của nguồn điện cấp...Tuy nhiên các phương pháp 
này bên cạnh những ưu điểm thì còn tồn tại một số nhược điểm: chưa đánh giá hết các tác 
động của nhiễu điện từ mạnh, chưa tiến hành mô phỏng vào một đối tượng cụ thể nên 
trong một vài trường hợpvẫn chưa giải quyết được triệt để . 
Để giải quyết những vấn đề nghiên cứu trên, nội dung bài báo đã tập trung vào việc xây 
dựng lý thuyết, đưa ra mô hình tương tác của nhiễu điện từ mạnh với các phương tiện vô 
tuyến điện và xây dựng thuật toán và tiến hành đánh giá định lượng, xác định, đánh giá 
được khoảng thời gian tồn tại và chu kỳ của xung cửa máy thu tác động trực tiếp đến độ 
chính xác kết quả đo thời gian máy thu. Kết quả của bài toán đã đưa ra mô hình đánh giá 
tương tác của nhiễu điện từ mạnh đến các phương tiện vô tuyến điện để từ đó có thể đưa ra 
các biện pháp giúp cho thiết bị điện tử hoạt động bình thường theo những tiêu chí của nhà 
sản xuất đã đưa ra. 
TÀI LIỆU THAM KHẢO 
[1]. Phan Anh, “Trường điện từ và truyền sóng” NXB Đại học Quốc gia Hà Nội (2002). 
[2]. Апорович А.Ф. “Электромагнитная совместимость радиоэлектронных средств”. 
Минск “Бестпринт” 2003. 
[3]. C.R. Paul, “Introduction to Electromagnetic Compatibility”, Wiley-Interscience, New 
Jersey (2006), pp. . 
[4]. Иванов, В.А. “Электромагнитная совместимость радиоэлектронных 
средств” /В.А.Иванов, Л.Я.Ильинский, М.И.Фузик.-К.:Техника, 1983.-120с. 
[5]. Князев, А.Д. “Элементы теории и практики электромагнитной местимости 
радиоэлектронных средств”. - М.:Радио и связь, 1984. - 336 с. 
[6]. “Радиоэлектронные средства и мощные электромагнитные помехи” / под ред. 
В.И. Кравченко. - М. : Радио и связь,1984. - 256 с. 
[7]. Крылов, В.А. “Защита от электромагнитных излучений” / В.А. рылов, Т.В. 
Югенков. - М. : Советское радио, 1972.- 216 с. 
[8]. Уайт, Д. “Электромагнитная совместимость радиоэлектронных средств и 
непреднамеренные помехи” / Д. Уайт; пер. с англ. - М. : Советское радио, 1977. 
- Вып. 1. - 348 с. 
[9]. ГОСТ 11001-80, “Измерители радиопомех”. Общие требования. 
[10]. Михайлов, А.С. “Измерение параметров ЭМС РЭС” / А.С. Михайлов. - М. : 
Связь, 1980. - 244 с. 
[11]. Михайлов, А.С. “Справочник по расчету электромагнитных экранов” / А.С. 
Михайлов. - М. : Энергоатом изд-во, 1988. - 244 с. 
[12]. ГОСТ Р 51724–2001 “Экранированные объекты, помещения, технические 
средства”. Поле гипогеомагнитное. 
[13]. Е.В Кереселидзе. “Электромагнитная совместимость радиоэлектронных 
средствю Минск”, 2005. 
[14]. А.Ф Апорович. “Электромагнитная совместимость радиоэлектронных 
средствю Минск «Бестпринт»”, 2003. 
Nghiên cứu khoa học công nghệ 
Tạp chí Nghiên cứu KH&CN quân sự, Số Đặc san FEE, 08 - 2018 125
ABSTRACT 
BUILDING THE IMPACT ASSESSMENT MODEL 
STRONG ELECTRONICS WITH MEANS OF RADIO POWER 
 Radio equipment operating under conditions influenced by a variety of factors, 
in which the source of the electromagnetic pulse will directly affect the operation of 
radio equipment. These electromagnetic pulses are formed from external sources 
such as: radio transmitters, information, lightning, high voltage transmission lines, 
internal sources such as transformers, coils, circuit breakers and switches. To 
ensure the requirements of electromagnetic compatibility and the strength of radio 
equipment for the impact of strong electromagnetic pulse, interference sources are 
developed by the manufacturers. First of all, because they create areas that are 
detrimental to the operation of radio equipment. The paper discusses an interactive 
model of how strong electromagnetic interference affects wireless media under 
different conditions. 
Keywords: Interactive; Electromagnetic interference; Radio. 
Nhận bài ngày 26 tháng 06 năm 2018 
Hoàn thiện ngày 10 tháng 9 năm 2018 
Chấp nhận đăng ngày 20 tháng 9 năm 2018 
Địa chỉ: 1 Cục Tiêu chuẩn - Đo lường - Chất lượng; 
 2 Viện Điện tử - Viện Khoa học và Công nghệ quân sự; 
3 Khoa Vô tuyến Điện tử - Học viện Kỹ thuật quân sự. 
 * Email: nguyenductruongttdl@gmail.com.