Quy chuẩn kỹ thuật quốc gia về thiết bị nhận dạng vô tuyến (RFID) băng tần từ 866 MHz đến 868 MHz
Quy chuẩn này quy định các cầu kỹ thuật đối với thiết bị nhận dạng vô tuyến (RFID)
băng tần từ 866 MHz đến 868 MHz và có công suất bức xạ hiệu dụng đến 2 W.
Quy chuẩn này được áp dụng cho các hệ thống hoạt động nhận dạng tự động (gồm
các thiết bị tìm đọc RFID và các thẻ). Các thiết bị tìm đọc phát trong các kênh quy
định có độ rộng mỗi kênh là 200 kHz sử dụng sóng mang điều chế. Các thẻ trả lời
hoạt động ở kênh liền kề. Thiết bị tìm đọc có thể dùng ăng ten rời hoặc ăng ten tích
hợp.
Quy chuẩn này áp dụng cho các thiết bị sau:
- Thiết bị tìm đọc cố định;
- Thiết bị tìm đọc cầm tay;
- Thẻ thụ động;
- Thẻ bán thụ động;
- Thẻ tích cực.
Bạn đang xem 20 trang mẫu của tài liệu "Quy chuẩn kỹ thuật quốc gia về thiết bị nhận dạng vô tuyến (RFID) băng tần từ 866 MHz đến 868 MHz", để tải tài liệu gốc về máy hãy click vào nút Download ở trên
Tóm tắt nội dung tài liệu: Quy chuẩn kỹ thuật quốc gia về thiết bị nhận dạng vô tuyến (RFID) băng tần từ 866 MHz đến 868 MHz
Error! CỘNG HÒA XÃ HỘI CHỦ NGHĨA VIỆT NAM QCVN 95:2015/BTTTT QUY CHUẨN KỸ THUẬT QUỐC GIA VỀ THIẾT BỊ NHẬN DẠNG VÔ TUYẾN (RFID) BĂNG TẦN TỪ 866 MHz ĐẾN 868 MHz National technical regulation on Radio Frequency Identification Equipment (RFID) operating in the band 866 MHz to 868 MHz HÀ NỘI - 2015 2 MỤC LỤC 1. QUY ĐỊNH CHUNG .......................................................................................... 5 1.1. Phạm vi điều chỉnh ........................................................................................ 5 1.2. Đối tượng áp dụng ........................................................................................ 5 1.3. Tài liệu viện dẫn ............................................................................................ 5 1.4. Giải thích từ ngữ ........................................................................................... 5 1.5. Ký hiệu .......................................................................................................... 7 1.6. Chữ viết tắt .................................................................................................... 7 2. QUY ĐỊNH KỸ THUẬT ..................................................................................... 8 2.1. Yêu cầu đối với máy phát .............................................................................. 8 2.1.1. Sai số tần số .................................................................................................. 8 2.1.2. Độ ổn định tần số trong điều kiện điện áp thấp ............................................. 8 2.1.3. Công suất bức xạ hiệu dụng ......................................................................... 9 2.1.4. Mặt nạ phổ .................................................................................................... 9 2.1.5. Phát xạ không mong muốn trong miền phát xạ giả ..................................... 10 2.1.6. Thời gian truyền .......................................................................................... 10 2.2. Yêu cầu đối với máy thu .............................................................................. 11 2.2.1. Phát xạ giả .................................................................................................. 11 2.3. Yêu cầu đối với thẻ...................................................................................... 12 2.3.1. Công suất bức xạ hiệu dụng ....................................................................... 12 2.3.2. Phát xạ không mong muốn .......................................................................... 12 3. PHƯƠNG PHÁP ĐO ...................................................................................... 13 3.1. Các yêu cầu chung ...................................................................................... 13 3.1.1. Yêu cầu đối với thiết bị cần đo .................................................................... 13 3.1.2. Thiết bị phụ trợ ............................................................................................ 14 3.1.3. Tín hiệu đo kiểm chuẩn và điều chế đo kiểm .............................................. 14 3.1.4. Ăng ten giả .................................................................................................. 14 3.1.5. Hộp ghép đo ................................................................................................ 14 3.1.6. Vị trí đo và bố trí các phép đo bức xạ .......................................................... 15 3.1.7. Các chế độ hoạt động của máy phát ........................................................... 15 3.1.8. Máy thu đo ................................................................................................... 15 3.2. Điều kiện thử nghiệm, nguồn điện và nhiệt độ môi trường .......................... 15 3.2.1. Điều kiện đo kiểm bình thường ................................................................... 15 3.2.2. Điều kiện đo kiểm tới hạn ............................................................................ 16 3 3.2.3. Nguồn điện đo kiểm ..................................................................................... 18 3.2.4. Giải thích các kết quả đo .............................................................................. 18 3.3. Phương pháp đo đối với máy phát............................................................... 19 3.3.1. Sai số tần số ................................................................................................ 19 3.3.2. Độ ổn định tần số trong điều kiện điện áp thấp ............................................ 19 3.3.3. Công suất bức xạ hiệu dụng ........................................................................ 19 3.3.4. Mặt nạ phổ ................................................................................................... 21 3.3.5. Phát xạ không mong muốn trong miền phát xạ giả ...................................... 22 3.3.6. Thời gian truyền ........................................................................................... 24 3.4. Phương pháp đo đối với máy thu................................................................. 25 3.4.1. Phát xạ giả ................................................................................................... 25 3.5. Phương pháp đo đối với thẻ ........................................................................ 27 3.5.1. Công suất bức xạ hiệu dụng ........................................................................ 27 3.5.2. Phát xạ không mong muốn .......................................................................... 29 4. QUY ĐỊNH VỀ QUẢN LÝ ................................................................................ 31 5. TRÁCH NHIỆM CỦA TỔ CHỨC, CÁ NHÂN .................................................. 31 6. TỔ CHỨC THỰC HIỆN .................................................................................. 31 PHỤ LỤC A (Quy định) Đo bức xạ ..................................................................... 32 THƯ MỤC TÀI LIỆU THAM KHẢO ....................................................................... 43 Lời nói đầu QCVN 95:2015/BTTTT được xây dựng trên cơ sở tiêu chuẩn ETSI EN 302 208-1 V1.4.1 (2011-11) và ETSI EN 302 208-2 V1.4.1 (2011-11) của Viện Tiêu chuẩn viễn thông châu Âu. QCVN 95:2015/BTTTT do Viện Khoa học Kỹ thuật Bưu điện biên soạn, Vụ Khoa học và Công nghệ thẩm định và trình duyệt, Bộ Thông tin và Truyền thông ban hành theo Thông tư số 33/2015/TT-BTTTT ngày 05 tháng 11 năm 2015. QCVN 95:2015/BTTTT 5 QUY CHUẨN KỸ THUẬT QUỐC GIA VỀ THIẾT BỊ NHẬN DẠNG VÔ TUYẾN (RFID) BĂNG TẦN TỪ 866 MHz ĐẾN 868 MHz National technical regulation on Radio Frequency Identification Equipment (RFID) operating in the band 866 MHz to 868 MHz 1. QUY ĐỊNH CHUNG 1.1. Phạm vi điều chỉnh Quy chuẩn này quy định các cầu kỹ thuật đối với thiết bị nhận dạng vô tuyến (RFID) băng tần từ 866 MHz đến 868 MHz và có công suất bức xạ hiệu dụng đến 2 W. Quy chuẩn này được áp dụng cho các hệ thống hoạt động nhận dạng tự động (gồm các thiết bị tìm đọc RFID và các thẻ). Các thiết bị tìm đọc phát trong các kênh quy định có độ rộng mỗi kênh là 200 kHz sử dụng sóng mang điều chế. Các thẻ trả lời hoạt động ở kênh liền kề. Thiết bị tìm đọc có thể dùng ăng ten rời hoặc ăng ten tích hợp. Quy chuẩn này áp dụng cho các thiết bị sau: - Thiết bị tìm đọc cố định; - Thiết bị tìm đọc cầm tay; - Thẻ thụ động; - Thẻ bán thụ động; - Thẻ tích cực. 1.2. Đối tượng áp dụng Quy chuẩn này được áp dụng cho các tổ chức, cá nhân Việt Nam và nước ngoài có hoạt động sản xuất, kinh doanh và khai thác các thiết bị thuộc phạm vi điều chỉnh của Quy chuẩn này trên toàn lãnh thổ Việt Nam. 1.3. Tài liệu viện dẫn ETSI TR 100 028 (V1.4.1) (all parts): "Electromagnetic compatibility and Radio spectrum Matters (ERM); Uncertainties in the measurement of mobile radio equipment characteristics". ETSI TR 102 273 (V1.2.1) (all parts): "Electromagnetic compatibility and Radio spectrum Matters (ERM); Improvement on Radiated Methods of Measurement (using test site) and evaluation of the corresponding measurement uncertainties". ANSI C63.5-2006: "American National Standard for Calibration of Antennas Used for Radiated Emission Measurements in Electromagnetic Interference". 1.4. Giải thích từ ngữ 1.4.1. Khả năng thích ứng tần số (adaptive frequency agility) Kỹ thuật cho phép thiết bị tìm đọc tự động đổi tần số từ kênh này sang kênh khác. QCVN 95:2015/BTTTT 6 1.4.2. Băng tần được ấn định (assigned frequency band) Băng tần mà tại đó thiết bị được phép phát xạ. 1.4.3. Thẻ bán chủ động (battery assisted tag) Bộ phát đáp có pin để nâng cao hiệu suất thu và công suất nội mạch của thẻ. 1.4.4. Thẻ bị động (batteryless tag) Tất cả năng lượng cần thiết cho bộ phát đáp hoạt động được thiết bị tìm đọc cung cấp. 1.4.5. Thẻ chủ động/tích cực (battery powered tag) Bộ phát đáp sử dụng năng lượng từ pin để thực hiện tất cả các chức năng hoạt động của thẻ. 1.4.6. Các phép đo dẫn (conducted measurements) Các phép đo được thực hiện bằng cách sử dụng kết nối trực tiếp trở kháng 50 đến thiết bị cần đo. 1.4.7. Ăng ten chuyên dụng (dedicated antenna) Ăng ten có thể tháo rời, được kiểm tra và cung cấp kèm theo thiết bị vô tuyến, được coi là một phần bắt buộc của thiết bị. 1.4.8. Chế độ nhiều thiết bị tìm đọc (dense interrogator mode) Chế độ hoạt động của RFID, trong đó, các thiết bị tìm đọc có thể phát đồng thời trên cùng một kênh trong khi thẻ trả lời trên các kênh liền kề. 1.4.9. Công suất bức xạ hiệu dụng (effective radiated power) Tích số của công suất cung cấp cho ăng ten và độ tăng ích của ăng ten so với ăng ten lưỡng cực nửa sóng theo hướng tăng ích tối đa. 1.4.10. Ăng ten rời (external antenna) Ăng ten có thể được đấu nối với thiết bị tìm đọc qua đầu nối ngoài của ăng ten. 1.4.11. Các bài đo đầy đủ (Full Tests (FT)) Tất cả các phép đo quy định trong Quy chuẩn này. 1.4.12. Chế độ đo liên tục (global scroll) Chế độ, trong đó, thiết bị tìm đọc có thể đọc liên tục cùng một thẻ chỉ cho mục đích đo kiểm. 1.4.13. Ăng ten tích hợp (integral antenna) Ăng ten được gắn cố định bên trong thiết bị và được coi như là một phần bắt buộc của thiết bị. 1.4.14. Thiết bị tìm đọc (interrogator) Thiết bị sẽ kích hoạt thẻ lân cận và đọc dữ liệu của thẻ. CHÚ THÍCH: Thiết bị tìm đọc cũng có thể nhập hoặc sửa đổi các thông tin trong thẻ. 1.4.15. Các bài đo giới hạn (Limited Tests (LT)) Các bài đo giới hạn (xem 3.1.1) gồm các phép đo sau: - Sai số tần số máy phát và ổn định tần số trong các điều kiện điện áp thấp cho các thiết bị hoạt động bằng nguồn điện, xem 2.1.1 của Quy chuẩn này; QCVN 95:2015/BTTTT 7 - Ổn định tần số máy phát trong điều kiện điện áp thấp, xem 2.1.2 của Quy chuẩn này; - Công suất bức xạ hiệu dụng của máy phát, xem 2.1.3 của Quy chuẩn này. 1.4.16. Chế độ nghe trước khi nói (Listen Before Talk (LBT)) Thiết bị tìm đọc thực hiện việc phát hiện một kênh trống trước khi phát (còn được gọi là "nghe trước khi truyền"). 1.4.17. Bên cần đo kiểm (provider) Đó là các nhà sản xuất, hoặc đại diện có thẩm quyền hoặc người chịu trách nhiệm trên thị trường của thiết bị. 1.4.18. Các phép đo bức xạ (radiated measurements) Các phép đo liên quan đến giá trị tuyệt đối của trường bức xạ. 1.4.19. Chế độ quét (scan mode) Chế độ đo kiểm đặc biệt của thiết bị tìm đọc để phát hiện ra tín hiệu trên đã chọn trước khi tiếp tục tự động tìm đọc trên kênh khác. 1.4.20. Thẻ (tag) Bộ phát đáp chứa dữ liệu và trả lời tín hiệu tìm đọc. 1.4.21. Chế độ nói (talk mode) Thiết bị tìm đọc phát bức xạ mong muốn. 1.5. Ký hiệu dB Đề xi ben d Khoảng cách f Tần số đo trong điều kiện thử nghiệm bình thường fc Tần số trung tâm của tín hiệu phát từ thiết bị tìm đọc fe Trôi tần tối đa được đo xem 3.3.1 b Bước sóng 1.6. Chữ viết tắt BER Tỉ lệ lỗi bit Bit Error Ratio e.r.p. Công suất bức xạ hiệu dụng effective radiated power EMC Tương thích điện từ ElectroMagnetic Compatibility emf Sức điện động electromotive force EUT Thiết bị cần đo kiểm Equipment Under Test FT Các bài đo đầy đủ Full Tests LBT Nghe trước khi nói Listen Before Talk LT Các bài đo hạn chế Limited Tests OATS Vị trí đo kiểm ngoài trời Open Area Test Site RBW Băng thông phân giải Resolution Bandwidth QCVN 95:2015/BTTTT 8 RF Tần số vô tuyến điện Radio Frequency RFID Nhận dạng bằng tần số vô tuyến Radio Frequency IDentification SRD Thiết bị vô tuyến cự ly ngắn Short Range Device VSWR Tỷ số sóng đứng theo điện áp Voltage Standing Wave Ratio 2. QUY ĐỊNH KỸ THUẬT 2.1. Yêu cầu đối với máy phát Trường hợp thiết bị tìm đọc được thiết kế với sóng mang có thể điều chỉnh, thì tất cả các tham số của máy phát phải được đo ở mức công suất phát cao nhất. Sau đó, thiết bị phải được thiết lập để cài đặt công suất sóng mang thấp nhất và lặp lại các phép đo phát xạ giả (xem 2.1.5). 2.1.1. Sai số tần số 2.1.1.1. Định nghĩa Sai số tần số còn được gọi là sự trôi tần, là sự chênh lệch giữa tần số của thiết bị được đo kiểm trong điều kiện đo kiểm bình thường (xem 3.2.1) và tần số đo theo điều kiện đo kiểm tới hạn (xem 3.2.2). 2.1.1.2. Phương pháp đo 2.1.1.3. Xem 3.3.1. 2.1.1.4. Giới hạn Sai số tần số là sự trôi tần tối đa cho phép được xác định là giá trị tuyệt đối của (fe-f), sai số tần số không vượt quá ± 10 ppm tần số trung tâm danh định của mỗi kênh, trong đó: - f = tần số được đo trong điều kiện đo kiểm bình thường (xem 3.3.1 a)). - fe = trôi tần tối đa được đo tại mục 3.3.1 b). CHÚ THÍCH: Trong trường hợp thiết bị tìm đọc ở nhiều vị trí, cần giới hạn chặt chẽ để tránh lỗi tần số không thể chấp nhận được. 2.1.2. Độ ổn định tần số trong điều kiện điện áp thấp Đo kiểm này áp dụng đối với thiết bị sử dụng pin. Phép đo phải được thực hiện dưới điều kiện nhiệt độ và độ ẩm bình thường (xem 3.2.1.1). 2.1.2.1. Định nghĩa Ổn định tần số dưới điều kiện điện áp thấp là khả năng của thiết bị vẫn trong giới hạn tần số cho phép khi điện áp của pin giảm xuống thấp hơn mức điện áp tới hạn. 2.1.2.2. Phương pháp đo 2.1.2.3. Xem 3.3.2. 2.1.2.4. Giới hạn Các thiết bị phải hoặc là: QCVN 95:2015/BTTTT 9 Phát với một tần số sóng mang trong giới hạn ± 10 ppm trong khi công suất dẫn hoặc bức xạ dưới giới hạn phát xạ giả, hoặc Tự động ngừng hoạt động khi điện áp thấp hơn điện áp làm việc do bên cần đo kiểm khai báo. CHÚ THÍCH: Trong trường hợp nhiều thiết bị tìm đọc tại cùng vị trí, cần giới hạn chặt chẽ để tránh các tần số lỗi không thể chấp nhận. 2.1.3. Công suất bức xạ hiệu dụng Áp dụng phép đo này cho thiết bị có ăng ten tích hợp và thiết bị được trang bị ăng ten rời. Cho phép đo cả bằng phương pháp dẫn và bức xạ. Trường hợp các phương pháp dẫn sử dụng công suất dẫn phải được điều chỉnh có tính đến độ tăng ích của của ăng ten và được quy định như e.r.p. 2.1.3.1. Định nghĩa Công suất bức xạ hiệu dụng là tích số của công suất cung cấp cho ăng ten và độ tăng ích của ăng ten so với ăng ten lưỡng cực nửa sóng theo hướng tăng ích tối đa trong trường hợp không điều chế. 2.1.3.2. Phương pháp đo 2.1.3.3. ... thực hiện bất kỳ phép đo bức xạ nào. Cơ chế này là chung cho tất cả các vị trí đo mô tả trong Phụ lục A. A.2.1. Đánh giá vị trí đo kiểm Không nên tiến hành một phép đo nào trên một ví trí đo chưa có một chứng chỉ thẩm định hợp lệ. Thủ tục thẩm định các loại vị trí đo khác nhau mô tả trong Phụ lục A (ví dụ buồng đo hấp thụ , buồng đo hấp thụ có mặt nền dẫn và Vị trí đo kiểm ngoài trời ) được trình bày trong các phần 2, 3 và 4 của TR 102 273. A.2.2. Chuẩn bị EUT Nhà sản xuất cần cung cấp các thông tin về EUT bao gồm tần số hoạt động, phân cực, điện áp nguồn và bề mặt chuẩn. Thông tin bổ sung, cụ thể đối với loại EUT nên bao gồm công suất sóng mang, khoảng cách kênh, các chế độ hoạt động khác (ví dụ như các chế độ công suất thấp và cao) và nếu sự hoạt động là liên tục hay chịu một chu kỳ làm việc đo kiểm tối đa (ví dụ một phút bật, bốn phút tắt). Ở những nơi cần thiết, nên có một ổ gắn cỡ tối thiểu để gắn EUT trên bàn quay. Ổ này cần được sản xuất từ vật liệu có hằng số điện môi tương đối thấp (ví dụ nhỏ hơn 1,5) và độ dẫn điện thấp chẳng hạn như polystyrene, balsawood (gỗ mềm)... A.2.3. Cấp nguồn cho EUT Tất cả các phép đo cần được thực hiện bằng cách sử dụng các nguồn cấp điện ở bất cứ nơi nào có thể, bao gồm cả các phép đo với EUT được thiết kế chỉ sử dụng pin. Trong mọi trường hợp, các dây dẫn điện cần được nối với các đầu vào cung cấp điện của EUT (và được giám sát bằng một vôn kế số) nhưng pin vẫn nên để ở máy và được cách điện với phần còn lại của thiết bị, có thể bằng cách dán băng lên các đầu tiếp xúc. Tuy nhiên, sự xuất hiện cáp nguồn này có thể làm ảnh hưởng đến chất lượng đo kiểm của EUT. Vì lý do này, cần tạo cho chúng là "trong suốt" đối với việc đo kiểm. Điều này có thể đạt được bằng cách hướng chúng cách xa EUT và dẫn xuống dưới màn chắn, mặt phẳng đất hay tường của vị trí đo (sao cho phù hợp) với các đường ngắn nhất có thể. Nên cẩn trọng để giảm thiểu thất thoát trên các dây dẫn này (ví dụ các dây dẫn được xoắn lại với nhau, nạp với các hạt ferit ở cách 0,15 m hay tải khác). A.2.4. Thiết lập điều khiển biên độ cho các phép đo thoại tương tự Nếu không có các thông báo khác thì trong tất cả các phép đo thoại tương tự của máy thu, cần điều chỉnh biên độ máy thu để cho công suất ra ít nhất bằng 50% công suất đầu ra danh định. Trong trường hợp điều khiển biên độ theo bước thì việc điều QCVN 95:2015/BTTTT 38 khiển biên độ nên được thiết lập sao cho tại bước thứ nhất máy thu cung cấp công suất ra ít nhất bằng 50% công suất đầu ra danh định. Không nên điều chỉnh lại biên độ của máy thu giữa các điều kiện đo kiểm bình thường và tới hạn trong các phép đo. A.2.5. Khoảng cách Khoảng cách cho tất cả các loại vị trí đo nên đủ lớn để cho phép đo trong trường xa của EUT, tức là khoảng cách nên bằng hoặc lớn hơn: 2(d1 + d2) 2 (m) Trong đó: d1 là đường kính lớn nhất của EUT/lưỡng cực sau khi thay thế, m d2 là đường kính lớn nhất của ăng ten thử, m λ là bước sóng tần số đo, m Cần chú thích trong phần thay thế của phép đo này, nếu cả ăng ten thử và ăng ten thay thế đều là các lưỡng cực nửa bước sóng, khoảng cách tối thiểu cho việc đo trường xa sẽ là: 2λ. Cần chú thích trong các báo cáo kết quả đo kiểm khi một trong những điều kiện này không được đáp ứng thì có thể kết hợp độ không đảm bảo đo phụ vào các kết quả đo. CHÚ THÍCH 1: Đối với buồng đo hấp thụ hoàn toàn, ở một góc quay bất kỳ của mâm xoay, không có phần biên độ nào của EUT nằm ngoài "vùng yên lặng" của buồng tại tần số danh định của phép đo. CHÚ THÍCH 2: "Vùng yên lặng" là một thể tích trong buồng đo hấp thụ (không có mặt nền) trong đó chất lượng quy định đã được chứng minh thông qua đo kiểm hoặc được đảm bảo bởi nhà thiết kế/nhà sản xuất. Chất lượng được qui định này thường là độ phản xạ của các tấm hấp thụ hay một thông số có liên quan trực tiếp (ví dụ như sự đồng nhất của tín hiệu về biên độ và pha). Tuy nhiên cũng nên lưu ý các mức qui định cho vùng yên lặng có thể thay đổi. CHÚ THÍCH 3: Đối với buồng đo hấp thụ có mặt nền, nên có khả năng quét toàn bộ độ cao, tức là từ 1m đến 4m, sao cho không có phần nào của ăng ten thử nằm dưới chiều cao 1 m của các tấm hấp thụ. Với cả hai loại buồng đo hấp thụ , tính phản xạ của các tấm hấp thụ không được nhỏ hơn -5 dB. CHÚ THÍCH 4: Đối với buồng đo hấp thụ có mặt nền và vị trí đo khoảng trống, không có phần nào của ăng ten được nằm trong khoảng 0,25 m của mặt nền tại bất kỳ thời điểm nào trong suốt các quá trình thử nghiệm. Khi bất kỳ một trong các điều kiện này không được thoả mãn thì không được tiến hành các phép đo. A.2.6. Chuẩn bị vị trí Các dây cáp ở cả hai đầu của vị trí thử cần được dải theo chiều ngang cách xa khu vực đo kiểm tối thiểu là 2 m (trừ phi đã chạm tường phía sau trong trường hợp của cả hai loại buồng đo hấp thụ), sau đó cho đi dây theo chiều dọc và bên ngoài mặt nền hay vỏ bọc (sao cho phù hợp) đối với thiết bị đo. Nên cẩn trọng để giảm thiểu thất thoát trên các dây dẫn này (ví dụ việc bọc các mối hàn ferit hay các tải khác). Đối với dây cáp, việc đi dây và bọc chúng cần giống tài liệu đánh giá. CHÚ THÍCH: Đối với các vị trí thử có sự phản xạ mặt nền (như các buồng đo hấp thụ có mặt nền và vị trí đo khoảng trống), nơi kết hợp một trống cuốn cáp với cột ăng ten, yêu cầu khoảng cách 2 m ở trên có thể không đáp ứng được. Cần có số liệu hiệu chỉnh cho tất cả các điều của thiết bị đo. Đối với đo kiểm, các ăng ten đo và ăng ten thay thế, số liệu này nên bao gồm hệ số khuếch đại liên quan đến hệ số bức xạ đẳng hướng (hay hệ số ăng ten) ứng với tần số đo kiểm. Cũng nên biết giá trị VSWR của các ăng ten thay thế và ăng ten đo. QCVN 95:2015/BTTTT 39 Số liệu hiệu chỉnh đối với tất cả các dây cáp và bộ suy hao nên bao gồm suy hao do nối ngoài (suy hao xen) và VSWR trong toàn Băng tần số của phép đo. Tất cả các hình vẽ suy hao do nối ngoài và VSWR cần được ghi lại trong bản kết quả cho các phép đo cụ thể. Ở những nơi yêu cầu các bảng/hệ số hiệu chỉnh thì nên có sẵn ngay tại đó. Đối với tất cả các điều của thiết bị đo, nên biết các lỗi cực đại và phân bố lỗi của thiết bị đo, ví dụ: - Suy hao cáp: ±0,5 dB với phân bố hình chữ nhật - Máy thu đo: độ chính xác mức tín hiệu (độ lệch chuẩn) 1,0 dB với phân bố lỗi Gauss. Tại thời điểm bắt đầu các phép đo, cần phải thực hiện việc kiểm tra hệ thống đối với các điều của thiết bị đo được sử dụng trên vị trí đo thử. A.3. Ghép các tín hiệu A.3.1. Tổng quan Sự có mặt của các dây dẫn điện trong trường bức xạ có thể gây nhiễu lên trường bức xạ và gây ra độ không đảm bảo đo phụ. Các nhiễu này có thể được làm giảm bằng cách sử dụng các phương pháp ghép phù hợp, tạo ra sự cô lập tín hiệu và tác động lên trường là tối thiểu (ví dụ như ghép quang và âm). A.3.2. Các tín hiệu dữ liệu Sự cô lập tín hiệu có thể được tạo ra bằng cách sử dụng biện pháp quang học, siêu âm hay hồng ngoại. Có thể giảm thiểm sự tác động lên trường bằng các kết nối sợi quang phù hợp. Cần có các kết nối bức xạ hồng ngoại hay siêu âm phù hợp để giảm thiểu nhiễu xung quanh. A.3.3. Các tín hiệu tương tự và thoại Nên sử dụng một bộ ghép âm ở những nơi không có cổng ra âm. Khi sử dụng bộ ghép âm nên kiểm tra xem nhiễu xung quanh có làm ảnh hướng đến kết quả đo không. A.3.3.1. Mô tả bộ ghép âm Bộ ghép âm bao gồm một phễu nhựa, một ống âm và một micrô với một bộ khuếch đại phù hợp. Các vật liệu được sử dụng để tạo ra phễu và ống nên có tính dẫn điện thấp và hằng số điện môi tương đối thấp (ví dụ nhỏ hơn 1,5 dB). - Ống âm nên đủ dài để nối từ EUT đến micrô, và được đặt ở một vị trí không làm ảnh hưởng đến trường RF. Ống âm cần có đường kính trong khoảng 6 mm và dày khoảng 1,5 mm, và đủ linh hoạt để không cản trở sự quay của bàn quay. - Phễu nhựa có đường kính tương ứng với kích cỡ loa của EUT, có cao su xốp mềm được dán ở mép, và được gắn vào một đầu của ống âm, micrô gắn vào đầu kia. Gắn tâm của phễu vào vị trí sao chép liên quan đến EUT là rất quan trọng, bởi vị trí trung tâm này có một ảnh hưởng mạnh lên đáp ứng tần số sẽ được đo. Điều này có thể đạt được bằng cách đặt EUT trong một gá lắp ráp âm lắp ghép kín do nhà sản xuất cung cấp, phễu là một phần tích hợp của EUT. - Micrô cần có đặc tính đáp ứng phẳng trong khoảng 1 dB trong băng tần từ 50 Hz đến 20 kHz, dải động tuyến tính ít nhất là 50 dB. Độ nhạy của micrô và mức âm lối ra máy thu nên phù hợp để đo tỷ số giữa tín hiệu và nhiễu ít nhất là 40 dB tại mức âm lối ra danh định của EUT. Kích cỡ của micrô phải đủ nhỏ để ghép vào ống âm. QCVN 95:2015/BTTTT 40 - Mạch hiệu chỉnh tần số nên hiệu chỉnh đáp ứng tần số của bộ ghép âm sao cho phép đo SINAD âm thanh là đúng (xem phần phụ lục F của IEC 60489-3) A.3.3.2. Hiệu chỉnh Mục đích của hiệu chỉnh bộ ghép âm là để xác định tỷ số SINAD âm thanh, tỷ số này tương đương tỷ số SINAD ở lối ra máy thu. A.4. Vị trí đo chuẩn Ngoại trừ sơ đồ đo với dây trần, vị trí chuẩn nằm trong các vị trí đo kiểm, đối với thiết bị không dùng để đeo bên người, kể cả thiết bị cầm tay, sẽ được đặt trên mặt bàn không dẫn điện, cao 1,5 m, có khả năng xoay xung quanh trục thẳng đứng. Vị trí chuẩn của thiết bị như sau: a) Đối với thiết bị có ăng ten trong thì ăng ten sẽ được đặt tại vị trí gần nhất với cách sử dụng bình thường như nhà sản xuất khai báo; b) Đối với thiết bị có ăng ten rời cố định, ăng ten sẽ đặt theo phương thẳng đứng; c) Đối với thiết bị có ăng ten rời không cố định, thiết bị phải đặt trên giá không dẫn điện và ăng ten sẽ được kéo ra theo phương thẳng đứng. Đối với thiết bị được đeo bên người, thiết bị sẽ được đo kiểm bằng cách sử dụng người mô phỏng trợ giúp. Người mô phỏng gồm có một ống acrylic xoay được, đổ đầy nước muối và đặt trên mặt đất. Ống sẽ có kích thước như sau: Cao 1,7 m ± 0,1 m Đường kính trong 300 mm ± 0,5 mm Bề dày thành ống 5 mm ± 0,5 mm Ống sẽ được đổ đầy nước muối (NaCl) pha theo tỷ lệ 1,5 g muối trên một lít nước cất. Thiết bị sẽ được gắn cố định vào bề mặt người mô phỏng tại một độ cao thích hợp của thiết bị. CHÚ THÍCH: Để làm giảm khối lượng của người mô phỏng, cần sử dụng một ống khác có đường kính trong cực đại là 220 mm. Trong sơ đồ đo với dây trần, thiết bị cần đo hoặc ăng ten thay thế được đặt trong vùng đo kiểm thiết kế tại điểm hoạt động bình thường, tuỳ theo trường tạo ra và tất cả đặt trên một bệ làm bằng vật liệu điện môi thấp (hệ số điện môi nhỏ hơn 2). A.5. Hộp ghép đo Hộp ghép đo chỉ dùng để đánh giá cho thiết bị sử dụng Ăng ten tích hợp A.5.1. Mô tả Hộp ghép đo là một thiết bị ghép tần số vô tuyến kết hợp với một thiết bị Ăng ten tích hợp để ghép Ăng ten tích hợp này với đầu cuối tần số vô tuyến 50 Ω tại tần số làm việc của thiết bị cần đo. Điều này cho phép thực hiện một số phép đo nhất định sử dụng các phương pháp đo dẫn. Chỉ có thể thực hiện được các phép đo tương đối tại hoặc gần các tần số mà hộp ghép đo đã được hiệu chỉnh. Ngoài ra, hộp ghép đo phải cung cấp: a) Một kết nối đến một nguồn cung cấp điện ngoài QCVN 95:2015/BTTTT 41 b) Trong trường hợp thẩm định (đánh giá) thiết bị thoại, một giao diện âm thanh hoặc bằng kết nối trực tiếp hoặc bằng một bộ ghép âm. Trong trường hợp thiết bị phi thoại, hộp ghép đo cũng có thể cung cấp bộ ghép phù hợp cho đầu ra dữ liệu Hộp ghép đo thường được cung cấp từ nhà sản xuất. Các đặc tính hoạt động của hộp ghép đo phải được phòng đo kiểm thông qua và phải tuân theo các tham số cơ bản sau: a) Suy hao ghép nối không được vượt quá 30 dB; b) Sự biến đổi suy hao ghép nối trong Băng tần sử dụng để đo không được vượt quá 2 dB; c) Mạch điện gắn với bộ phối ghép RF không được chứa các thiết bị chủ động và các thiết bị phi tuyến; d) VSWR tại giắc cắm 50 Ω không được lớn hơn 1,5 trong Băng tần đo; e) Suy hao ghép nối phải không phụ thuộc vào vị trí của hộp ghép đo và không bị ảnh hưởng của những vật thể và người xung quanh. Suy hao ghép nối phải có khả năng tái tạo khi tháo và thay thế thiết bị cần đo f) Suy hao ghép nối phải cơ bản được giữ nguyên khi điều kiện môi trường thay đổi. Các đặc tính và hiệu chỉnh phải được đưa vào báo cáo đo. A.5.2. Hiệu chỉnh CHÚ THÍCH 1: Thiết bị ghép nối, ví dụ tải AF/bộ ghép âm (nếu là thiết bị âm thanh) CHÚ THÍCH 2: Thiết bị để thẩm định (đánh giá) chất lượng, ví dụ máy đo mức âm tần/hệ số méo, thiết bị đo hệ số BER Hình A.5- Sơ đồ đo để hiệu chỉnh Việc hiệu chỉnh hộp ghép đo thiết lập mối quan hệ giữa đầu ra của bộ tạo tín hiệu và cường độ trường đưa vào thiết bị bên trong hộp ghép đo. Hiệu chỉnh chỉ có hiệu lực tại một tần số cụ thể và một phân cực cụ thể của trường chuẩn. Việc sử dụng các thiết lập thực tế phụ thuộc vào loại thiết bị (ví dụ dữ liệu, thoại) Phương pháp hiệu chỉnh: a) Đo độ nhạy tính bằng cường độ trường, như đã trình bày trong Quy chuẩn này và ghi lại giá trị của cường độ trường này theo dBμV/m và loại phân cực được sử dụng; b) Đặt máy thu vào hộp ghép đo đã được kết nối với bộ tạo tín hiệu. Ghi lại mức do bộ tạo tín hiệu tạo ra: SINAD là 20 dB; tỉ số lỗi bit là 0,01 hoặc tỷ lệ nhận tin báo là 80% Việc hiệu chuẩn hộp ghép đo là quan hệ giữa cường độ trường tính bằng dBμV/m và mức của bộ tạo tín hiệu tính theo dBμV emf. Mối quan hệ này được coi là tuyến tính QCVN 95:2015/BTTTT 42 A.5.3. Phương thức thực hiện Hộp ghép đo có thể được sử dụng cho các phép đo trong trường hợp thiết bị có ăng ten tích hợp. Hộp ghép đo đặc biệt được sử dụng trong các phép đo công suất sóng mang bức xạ và độ nhạy khả dụng được biểu diễn dưới dạng cường độ trường trong những điều kiện đo tới hạn. Đối với các phép đo máy phát, không cần thiết phải hiệu chỉnh như các phương pháp đo tương đối được sử dụng Đối với các phép đo máy thu, hiệu chỉnh là cần thiết như các phép đo tuyệt đối được sử dụng Để áp dụng mức tín hiệu mong muốn qui định biểu diễn dưới dạng cường độ trường thì phải đổi mức tín hiệu thành mức bộ tạo tín hiệu (emf) sử dụng đường cong hiệu chỉnh của hộp ghép đo. Áp dụng giá trị này đối với bộ tạo tín hiệu. QCVN 95:2015/BTTTT 43 THƯ MỤC TÀI LIỆU THAM KHẢO [1] TCAM (21)36: "Passive RFID tags at the stage of placing on the market and the R&TTE Directive". [2] Directive 1999/5/EC of the European Parliament and of the Council of 9 March 1999 on radio equipment and telecommunications terminal equipment and the mutual recognition of their conformity (R&TTE Directive). [3] IEC 60489-3 Appendix J Second edition (1988): "Methods of measurement for radio equipment used in the mobile services. Part 3: Receivers for A3E or F3E emissions" (pages 156 to 164). [4] Directive 98/34/EC of the European Parliament and of the Council of 22 June 1998 laying down a procedure for the provision of information in the field of technical standards and regulations. [5] ETSI EG 201 399 (V2.1.1): "Electromagnetic compatibility and Radio spectrum Matters (ERM); A guide to the production of candidate Harmonized Standards for application under the R&TTE Directive". [6] ANSI C63.5-2006, American National Standard Electromagnetic Compatibility- Radiated Emission Measurements in Electromagnetic Interference (EMI) Control- Calibration of Antennas (9 kHz to 40 GHz).
File đính kèm:
- quy_chuan_ky_thuat_quoc_gia_ve_thiet_bi_nhan_dang_vo_tuyen_r.pdf