Nghiên cứu chế tạo màng mỏng Cu2O bằng phương pháp lắng đọng hóa học pha hơi

 Tạp chí Hóa học, 55(1): 125-129, 2017 
DOI: 10.15625/0866-7144.2017-00430 
125 
Nghiên cứu chế tạo màng mỏng Cu2O bằng phương pháp 
lắng đọng hóa học pha hơi 
Lê Văn Huỳnh 
Trường Đại học Kinh tế – Kỹ thuật Công nghiệp 
Đến Tòa soạn 10-5-2016; Chấp nhận đăng 6-02-2017 
Abstract 
Cu2O thin films are widely used in many fields such as: solar panel, catalysts for chemical reactions, especially in 
the field of electronics. Cu2O thin films manufacture by vapor phase deposition methods chemical. This is the method 
by which solid material, is deposited from the vapor phase, through the the chemical reaction, near the surface to be 
heated. Obtained in the form of solids coatings, powder or the the crystal form. The advantage of CVD method is able 
to make the thin film with evenly thickness and less porous, even when complicated shapes. In this paper is the research 
results on Cu2O thin films by method CVD from Cu(Acac)2. XRD and SEM research showed that Cu2O crystals with 
cubic structure, temperature affects the surface states of thin films. 
Keywords. Cu2O thin film fabrication, chemical vapor deposition. 
1. MỞ ĐẦU 
Lắng đọng hóa học pha hơi (CVD) là một 
phƣơng pháp, theo đó vật liệu rắn đƣợc lắng đọng từ 
pha hơi, thông qua các phản ứng hóa học xảy ra, ở 
gần bề mặt đế đƣợc nung nóng. Vật liệu rắn thu 
đƣợc là dạng lớp phủ, bột hoặc đơn tinh thể. Điểm 
đặc biệt của công nghệ CVD là có thể chế tạo đƣợc 
màng mỏng với độ dày đồng đều và ít bị xốp, ngay 
cả khi hình dạng đế phức tạp, có thể lắng đọng chọn 
lọc và giới hạn trong một khu vực nào đó trên đế có 
trang trí hoa văn. 
Phƣơng pháp CVD đƣợc sử dụng để chế tạo 
nhiều loại màng mỏng nhƣ: Chế tạo các màng mỏng 
ứng dụng trong công nghệ vi mạch điện tử, màng 
cách điện, dẫn điện, lớp chống gỉ, chống oxi hóa. 
Chế tạo sợi quang chịu nhiệt và có độ bền tốt. Sử 
dụng đƣợc với những vật liệu nóng chảy ở nhiệt độ 
cao, dùng để chế tạo pin mặt trời, các vật liệu siêu 
dẫn ở nhiệt độ cao. 
Màng mỏng Cu2O đƣợc ứng dụng trong nhiều 
lĩnh vực, nhất là trong công nghệ chế tạo pin mặt 
trời. Để chọn lọc những tính chất nổi trội của từng 
loại vật liệu, thƣờng ngƣời ta phủ Cu2O lên các chất 
nền khác nhau [1, 2]. 
Màng mỏng Cu2O không những đƣợc ứng dụng 
trong pin mặt trời, mà còn có khả năng xúc tác cho 
nhiều phản ứng hóa học khác nhau. Màng 
Cu2O/MgO có khả năng xúc tác cho phản ứng đề 
hidro hóa cyclohexanol. Trong phản ứng này, hoạt 
tính của Cu2O/MgO tỏ ra hơn hẳn so với xúc tác Cu 
kim loại [3, 6]. 
Màng mỏng Cu2O trên Ta, Ru và SiO2 đƣợc chế 
tạo từ tiền chất ban đầu là axetylacetonat Cu(II) và 
đƣợc ứng dụng làm dây dẫn dạng màng có kích 
thƣớc nanomet trong các thiết bị điện tử [4]. 
Khả năng thăng hoa của một số phức 
axetylaxetonnat kim loại, trong quá trình phân hủy 
nhiệt, đƣợc ứng dụng trong công nghệ chế tạo màng 
mỏng. Màng mỏng LaNiO3 đƣợc chế tạo bằng cách 
phủ nhúng trên nền Pt/Ti/SiO2/Si sau đó nung ở 
700oC, màng có tính dẫn điện nhƣ kim loại và điện 
trở suất rất thấp, đƣợc sử dụng làm vật liệu điện cực 
thay thế cho màng mỏng gốm [5]. 
Bài báo này trình bày kết quả nghiên cứu chế tạo 
màng mỏng Cu2O bằng phƣơng pháp lắng đọng hóa 
học pha hơi. 
2. PHƢƠNG PHÁP NGHIÊN CỨU 
Các hóa chất đƣợc sử dụng để nghiên cứu: 
Axetylaxeton (Acac) C5H8O2, CuSO4.5H2O của 
hãng Merck (CHLB Đức) sản xuất, có độ sạch PA. 
Cân 2,496 g CuSO4.5H2O (M = 249,6066) rồi 
hòa tan vào 10 ml dung dịch H2SO4 10 %, chuyển 
vào bình định mức 50 ml, sau đó định mức bằng 
nƣớc cất đến vạch mức và lắc đều sẽ thu đƣợc dung 
dịch Cu2+ có nồng độ gần đúng 0,2 M. 
Chuẩn bị dung dịch amoni axetylaxetonat 
(NH4Acac): Cho dung dịch NH3 25 % vào dung 
dịch axetylaxeton (Acac) theo tỷ lệ mol 
Acac/NH4OH = 1/0,9, sẽ thu đƣợc chất rắn màu 
 TCHH, 55(1) 2017 Lê Văn Huỳnh 
 126 
Hình 1: Sơ đồ chế tạo màng mỏng bằng phƣơng pháp lắng đọng hóa học pha hơi 
1 – Dòng khí mang N2; 2 – Lò nung; 3 – Thuyền chất chứa Cu(Acac)2.2H2O; 4 – Khí N2 và 
hơi H2O2; 5 – Lò nung ống; 6 – Đế; 7 – Ống thạch anh; 8 – Bộ nối với hệ thống hút chân không 
1 
2 5 
6 
7 
8 
3 
N2 
4 
N2 
dd H2O2 
trắng, tan tốt trong nƣớc theo phƣơng trình sau: 
NH4OH + Acac NH4Acac + H2O 
Sau một thời gian, NH4Acac ở trạng thái rắn 
chuyển sang dạng dung dịch trong suốt. 
Sử dụng phƣơng pháp Xtaix để tổng hợp 
axetylaxetonat Cu(II) [7-10]. 
Cho dung dịch amoni axetylaxetonat NH4(Acac) 
lấy với lƣợng dƣ 50 %, vào dung dịch muối Cu(II), 
khuấy đều, xuất hiện kết tủa có màu xanh lục nhạt 
của axetylaxetonat Cu(II), theo phƣơng trình sau: 
Cu(II) + 2NH4(Acac) + 2H2O 
Cu(Acac)2.2H2O + 2NH4
+ 
Tiếp tục khuấy trộn thêm 60 phút. Phức chất tạo 
thành đƣợc tách ra, rồi lọc, rửa bằng nƣớc cất trên 
phễu lọc thủy tinh xốp. Sản phẩm đƣợc làm khô và 
bảo quản trong bình hút ẩm. Việc lấy dƣ 50 % 
NH4(Acac) là để cân bằng chuyển dịch hoàn toàn về 
phía tạo thành sản phẩm. Ổn định pH = 3 4 của 
dung dịch phản ứng, trong khoảng pH này không thể 
tạo ra kết tủa hydroxyt của đồng Cu(OH)2 đƣợc, 
nhằm mục đích là để tạo ra sản phẩm tinh khiết. 
Phƣơng pháp lắng đọng hóa học pha hơi là một 
quá trình ngƣng tụ một vật liệu rắn từ pha hơi. Chất 
ở pha hơi di chuyển qua một buồng nhờ khí mang 
đến, tiếp xúc với đế đƣợc nung nóng ở nhiệt độ nhất 
định. Tại đây các chất sẽ phản ứng hay lắng đọng tạo 
thành pha rắn, toàn bộ quá trình đƣợc thể hiện trên 
hình 1. 
Xử lý đế thủy tinh: Đế thủy tinh đƣợc đun trong 
hỗn hợp dung dịch H2SO4 đặc 98 % và H2O2 30 % 
trong 60 phút, để tẩy rửa sạch những chất dính bám 
trên bề mặt đế thủy tinh. 
Nhúng đế thủy tinh đã xử lý trên vào dung dịch 
NaOH 5 %, rửa sạch bằng nƣớc cất, rồi đun sôi 
trong nƣớc cất 30 phút. Nhằm mục đích trung hòa 
hết lƣợng axit và các chất còn lại trên bề mặt đế thủy 
tinh. 
Tiếp tục đun trong ancol isopropanol trong 60 
phút để rửa sạch hết các tạp chất và dung dịch đã sử 
dụng trƣớc đó, cuối cùng ngâm đế thủy tinh trong 
axeton để bảo quản. 
Tiến hành: Cho một lƣợng phức chất Cu(Acac)2 
vào thuyền, đƣa thuyền vào ống thạch anh. Đế thủy 
tinh đã đƣợc xử lý sạch đƣợc đặt ở tâm vùng lắng 
đọng nhƣ hình 1, tiến hành hút chân không, áp suất 
của hệ đƣợc giữ ổn định ở 160 mmHg. 
Nâng từ từ nhiệt độ đến nhiệt độ thăng hoa của 
phức Cu(Acac)2, ở khoảng nhiệt độ (155±5) 
oC, với 
tốc độ gia nhiệt 2 oC/phút. Tại khoảng nhiệt độ này 
phức Cu(Acac)2 có khả năng thăng hoa tốt. 
Duy trì nhiệt độ vùng thuyền đựng chất, cao hơn 
nhiệt độ thăng hoa của phức chất khoảng 5 10oC. 
Phức chất thăng hoa đƣợc dòng khí mang N2 cuốn 
vào vùng trung tâm của lò, điều chỉnh đƣợc lƣợng 
phức chất thăng hoa vào trung tâm lò, bằng cách 
thay đổi tốc độ dòng khí N2 qua ống dẫn 4. 
Nhiệt độ của đế, đƣợc duy trì ở nhiệt độ phân 
hủy, tạo ra sản phẩm mong muốn. Quá trình tạo 
màng diễn ra trong khoảng 150 phút. 
Phƣơng pháp lắng đọng hoá học pha hơi tạo ra 
các màng bám dính chặt, có thể lặp lại đƣợc và đồng 
nhất. Để thu đƣợc màng mong muốn, cần nhiệt độ 
cao để cung cấp cho phản ứng phân huỷ. 
Giản đồ XRD đƣợc đo trên máy D8 ADVANCE 
– Bruker của Đức và Rigaku – SmartLab của Nhật 
Bản với bức xạ CuKα với = 0,15406 nm; góc đo 
25÷80 và bƣớc quét 0,03 0/s. Ảnh SEM của màng 
đƣợc ghi trên máy Hitachi S4800 Scanning Electron 
Microscope của Nhật Bản. 
 TCHH, 55(1) 2017 Nghiên cứu chế tạo màng mỏng 
 127 
3. KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN 
3.1. Nghiên cứu bằng phương pháp XRD 
Nghiên cứu giản đồ XRD khi nhiệt độ đế thay 
đổi trong khoảng từ 240-320 oC, với khoảng bƣớc 
nhảy là 20 oC, trong điều kiện khí mang và tác nhân
phản ứng là (N2 + hơi H2O2). 
Ở nhiệt độ cao H2O2 bị phân hủy thành H2O và 
oxi ở dạng nguyên tử, các nguyên tử oxi này có tính 
oxi hóa rất mạnh để phản ứng với các ion Cu trong 
phức tạo thành hợp chất Cu2O. Kết quả nghiên cứu 
đƣợc thể hiện trên bảng 1 và hình 2. 
Rigaku-SmartLab, M1_Cu2O/H2O2/240
0C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
130
140
25 30 35 40 45 50 55 60 65 70 75 80
2-Theta scale (deg.)
In
te
n
s
it
y
 (
c
p
s
)
Cuprite,syn-Cu2O-01-077-0199
(1
1
1
)
(2
0
0
)
(2
2
0
)
240 oC 
Rigaku-SmartLab, M2_Cu2O/H2O2/260
0C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
130
140
25 30 35 40 45 50 55 60 65 70 75 80
2-Theta scale (deg.)
In
te
n
s
it
y
 (
c
p
s
)
Cuprite,syn-Cu2O-01-077-0199
(1
1
1
)
(2
0
0
)
(2
2
0
)
260 oC 
Rigaku-SmartLab, M3_Cu2O/H2O2/280
0C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
130
140
25 30 35 40 45 50 55 60 65 70 75 80
2-Theta scale (deg.)
In
te
n
s
it
y
 (
c
p
s
)
Cuprite,syn-Cu2O-01-077-0199
(1
1
0
)
(1
1
1
)
(2
0
0
)
(2
2
0
)
(3
1
1
)
280 
o
C 
Faculty of Chemistry, HUS, VNU, D8 ADVANCE-Bruker - Mau Cu2O-CuO-300C
00-001-1142 (D) - Cuprite - Cu2+1O - Y: 68.94 % - d x by: 1. - WL: 1.5406 - Cubic - a 4.25200 - b 4.25200 - c 4.25200 - alpha 90.000 - beta 90.000 - gamma 90.000 - Primitive - Pn-3m (224) - 2 - 76.8740 - F
1)
` - File: Tuan K52S mau CuO-Cu2O-300C.raw - Type: Detector Scan - Start: 20.000 ° - End: 70.000 ° - Step: 0.020 ° - Step time: 0.7 s - Temp.: 25 °C (Room) - Time Started: 11 s - 2-Theta: 20.000 ° - Theta: 
 ` - Left Angle: 35.580 ° - Right Angle: 37.820 ° - Left Int.: 124 Cps - Right Int.: 114 Cps - Obs. Max: 36.676 ° - d (Obs. Max): 2.448 - Max Int.: 202 Cps - Net Height: 82.4 Cps - FWHM: 1.003 ° - Chord Mid.
L
in
 (
C
p
s
)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
130
140
150
160
170
180
190
200
210
220
230
240
250
260
270
280
290
2-Theta - Scale
20 30 40 50 60 70
d
=
2
.4
4
6
d
=
2
.1
3
2
d
=
1
.5
1
2
300 oC 
Faculty of Chemistry, HUS, VNU, D8 ADVANCE-Bruker - Mau Cu2O-CuO-320C
00-003-0898 (D) - Cuprite - Cu2+1O - Y: 54.32 % - d x by: 1. - WL: 1.5406 - Cubic - a 4.25200 - b 4.25200 - c 4.25200 - alpha 90.000 - beta 90.000 - gamma 90.000 - Primitive - Pn-3m (224) - 2 - 76.8740 - F
1)
` - File: Tuan K52S mau CuO-Cu2O-320C.raw - Type: Detector Scan - Start: 20.000 ° - End: 70.000 ° - Step: 0.020 ° - Step time: 0.7 s - Temp.: 25 °C (Room) - Time Started: 17 s - 2-Theta: 20.000 ° - Theta: 
 ` - Left Angle: 40.480 ° - Right Angle: 43.480 ° - Left Int.: 114 Cps - Right Int.: 109 Cps - Obs. Max: 42.160 ° - d (Obs. Max): 2.142 - Max Int.: 236 Cps - Net Height: 125 Cps - FWHM: 1.187 ° - Chord Mid.:
L
in
 (
C
p
s)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
130
140
150
160
170
180
190
200
210
220
230
240
250
260
270
280
290
300
310
320
2-Theta - Scale
20 30 40 50 60 70
d
=
3
.0
1
7
d
=
2
.4
5
6
d
=
2
.1
4
0
d
=
1
.5
0
5
Hình 2: Giản đồ XRD của màng mỏng ở các nhiệt độ khác nhau 
320 oC 
 TCHH, 55(1) 2017 Lê Văn Huỳnh 
 128 
Hình 3: Ảnh SEM của màng mỏng ở các nhiệt độ khác nhau 
260 oC 240 
oC 
280 oC 300 oC 
Bảng 1: Kết quả XRD của màng mỏng tại các nhiệt độ khác nhau 
STT 
Nhiệt độ đế 
(oC) 
Thành phần 
pha 
2-theta 
(deg) 
d (Å) 
FWHM 
(deg) 
Kích thƣớc 
hạt (nm) 
1 240 Cu2O 36,3915 2,46687 0,7168 12,185 
2 260 Cu2O 36,5949 2,45355 0,5947 14,712 
3 280 Cu2O 36,5375 2,45731 0,6323 13,827 
4 300 Cu2O 36,6762 2,44603 1,0030 8,3443 
5 320 Cu2O 42,1604 2,14006 1,1872 7,1734 
Trong khoảng nhiệt độ khảo sát, thành phần của 
màng đều đơn pha, gồm các tinh thể Cu2O ở dạng 
lập phƣơng, có kích thƣớc các hạt dao động trong 
khoảng từ 7 14 nm. 
Trong khoảng nhiệt độ 240 300 oC, các màng 
mỏng thu đƣợc đều có các pic với cƣờng độ lớn nhất 
(d ≈ 2,45), tƣơng ứng với họ mặt (111), nghĩa là tinh 
thể đƣợc ƣu tiên phát triển theo hƣớng họ mặt (111). 
Tại nhiệt độ 320 oC, màng mỏng thu đƣợc, có 
các pic với cƣờng độ lớn nhất (d = 2,14), tƣơng ứng 
với họ mặt (200), nghĩa là tinh thể đƣợc ƣu tiên phát 
triển theo hƣớng họ mặt (200). 
Hằng số mạng của các tinh thể lục giác Wurtzite 
đƣợc tính theo công thức: 
2
2
222
2
.).(
5
4
1
c
a
lkhkh
a
d
 (1) 
Dựa vào vị trí các đỉnh của giản đồ nhiễu xạ tia 
X, xác định đƣợc hằng số mạng a, b và c. 
Kích thƣớc hạt tinh thể đƣợc tính theo công thức 
Debye – Scherrer: 
β.cosθ
0,9.λ
D (2) 
Trong đó: D là kích thƣớc hạt tinh thể (Å); β là độ 
bán rộng (rad); là bƣớc sóng tia X; là góc nhiễu 
xạ (độ). 
Trong tính toán, lấy góc ứng với đỉnh cao nhất 
với 2 = 34,48o và = 1,54056 Å. 
Trong khoảng nhiệt độ 260 320 oC, thì kích 
thƣớc hạt trung bình có chiều hƣớng giảm dần. 
3.2. Nghiên cứu bằng phương pháp SEM 
Ảnh SEM của màng mỏng đƣợc thể hiện trên 
hình 3. 
 TCHH, 55(1) 2017 Nghiên cứu chế tạo màng mỏng 
129 
Các ảnh SEM cho thấy bề mặt màng thay đổi 
nhiều ở các nhiệt độ khác nhau. Tức là cấu trúc bề 
mặt màng mỏng phụ thuộc vào nhiệt độ của đế, khi 
nhiệt độ càng tăng thì cấu trúc bề mặt màng mỏng 
trở nên thô ráp hơn. 
Tại nhiệt độ 240 oC, bề mặt màng không đồng 
đều, ảnh SEM có độ sáng tối khác nhau do có nhiều 
khoảng trống, các hạt chƣa có hình dạng xác định, 
nên chƣa xác định đƣợc chính xác kích thƣớc hạt. 
Tại nhiệt độ 260 oC, thu đƣợc bề mặt màng khá 
đồng đều, sự sắp xếp giữa các hạt tƣơng đối khít, 
không có nhiều khoảng trống, nhƣng các hạt cũng 
chƣa có hình dạng xác định. 
Tại nhiệt độ 280 oC, bề mặt màng mỏng khá 
đồng đều, sự sắp xếp giữa các hạt tƣơng đối khít 
nhau, không có nhiều khoảng trống. Các hạt có dạng 
hình cầu, có kích thƣớc dao động khoảng 10 20 nm. 
Nguyên nhân của sự sai khác về kích thƣớc hạt khi 
tính bằng công thức Debye-Scherrer (công thức 
Debye-Scherrer tính kích thƣớc hạt chỉ là công thức 
tính gần đúng) và thu đƣợc từ ảnh SEM, là do hiện 
tƣợng kết tụ thành đám tinh thể oxit trong quá trình 
lắng đọng màng. 
Tại nhiệt độ 300 oC, bề mặt màng không đồng 
đều, xuất hiện nhiều khoảng trống, các hạt có dạng 
hình cầu, nhƣng kích thƣớc rất khác nhau. 
Nhƣ vậy, nhiệt độ có ảnh hƣởng đến bề mặt 
màng. Ở nhiệt độ 280 oC thì bề mặt của màng mỏng 
là tốt nhất. 
4. KẾT LUẬN 
Đã tổng hợp đƣợc phức chất Cu(Acac)2 và phức 
này có khả năng thăng hoa tốt. 
Đã chế tạo thành công màng mỏng Cu2O bằng 
phƣơng pháp lắng đọng hóa học pha hơi từ phức 
Cu(Acac)2. 
Bằng phƣơng pháp XRD và SEM đã chỉ ra rằng: 
Thành phần màng Cu2O là những tinh thể lập 
phƣơng. 
Nhiệt độ ảnh hƣởng đến trạng thái bề mặt của 
màng mỏng. Tại nhiệt độ 280 oC, bề mặt màng 
mỏng là tốt nhất. 
Kết quả nghiên cứu là cơ sở khoa học, cho việc 
ứng dụng vào các quá trình công nghệ sản xuất. 
TÀI LIỆU THAM KHẢO 
1. Yakup Hame, S. Eren San. CdO/Cu2O solar cells by 
chemical deposition, Solar Energy, 77, 291-294 
(2004). 
2. Yiwen Tang, Zhingang Chen, Zhijie Jia, Lisha 
Zhang, Jialin Li. Electrodeposition and 
characterization of nanocrystalline cuprous oxide 
thin film on TiO2 films, Materials Letters, 59, 434-438 
(2005). 
3. Shi Qiujie, Liu Ning, Liang Yi. Preparation of MgO-
Supported Cu2O Catalyst and Its Catalytic Properties 
for Cyclohexanol Dehydrogenation, Chinese Journal 
of Catalysis, 28, 57-61 (2007). 
4. Waechtler T., Oswald S., Roth N., Jakob A., Lang H., 
Ecke R., Schulz S. E. Copper Oxide Films Grown by 
Atomic Layer Deposition from Bis(tri-n-
butylphosphane) Copper(II) Acetylacetonate, Journal 
of the Electrochemical Society, 156, 453-459 (2009). 
5. Manisha Shirodker, Vrinda Borker, C. Nather, W. 
Bensch, K. S. Rane. Synthesis and structure of tris 
(acetylacetonato) aluminium (III), Indian Journal of 
Chemistry, 49, 1607-1611 (2010). 
6. Lê Văn Huỳnh. Luận án Tiến sĩ Hóa học, Trƣờng Đại 
học Bách khoa Hà Nội (2012). 
7. Xiangcheng Li, Aiping Chen, Hua Long, Yuhua Li, 
Guang Yang, Peixiang Lu. Controlled growth and 
characteristics of single-phase Cu2O and CuO films 
by pulsed laser deposition, Vacuum, 83, 927-930 
(2009). 
8. Triệu Thị Nguyệt, Nguyễn Thị Hiền Lan. Tổng hợp 
và nghiên cứu tính chất axetylaxetonat của một số 
kim loại, Tạp chí Hóa học, 49(3A), 351-355 (2011). 
9. Triệu Thị Nguyệt, Nguyễn Thị Lụa, Nguyễn Mạnh 
Hùng. Khảo sát ảnh hưởng của các yếu tố đến quá 
trình tạo màng Cu2O từ đồng(II) axetylaxetonat, Tạp 
chí Hóa học, 49(3A), 111- 115 (2011). 
10. Triệu Thị Nguyệt, Nguyễn Thị Lụa, Nguyễn Mạnh 
Hùng, Nguyễn Hùng Huy. Nghiên cứu khả năng tạo 
màng Cu2O bằng phương pháp CVD từ đồng(II) 
axetylaxetonat, Tạp chí Phân tích Hóa, Lí và Sinh 
học, 16(1), 20-24 (2011). 
Liên hệ: Lê Văn Huỳnh 
Trƣờng Đại học Kinh tế – Kỹ thuật Công nghiệp 
Cơ sở 1: 456 Minh Khai, Quận Hai Bà Trƣng, Hà Nội 
Cơ sở 2: 353 Trần Hƣng Đạo thành phố Nam Định 
E-mail: lehuynh1058@gmail.com; Điện thoại: 0912208709.