Giáo trình Kỹ thuật điện tử (Phần 1)
Điện trở SMD (SMD-Surface Mount Devices)
Điện trở dán là loại điện trở có kích thước cực nhỏ thường dùng trong những mạch đòi hỏi sự
nhỏ gọn. Điện trở dán được làm theo công nghệ dán bề mặt, tức là dán trực tiếp lên bảng mạch
in. Kích thước của điện trở dán có thể nhỏ tới 0,6mm x 0,3mm.
Đặc điểm:
Công suất hoạt động (tỏa nhiệt) cực thấp: dưới 0.125W (dễ cháy nếu dùng không cẩn
thận).
Đỏ
Đỏ
Xanh lá
Vàng kim
R = 2500Ω ±5%
ĐenChương 1: Linh kiện thụ động
Trang 10
Độ chính xác cực cao: sai số chỉ +/- 1% trở xuống.
Giá thành cao: cao hơn điện trở thông thường khoảng 20%.
Hình dạng điện trở dán được chỉ ra trong hình 1.18. Một số cách đọc giá trị điện trở dán thể
hiện ở hình 1.18. Điện trở dán dùng 3 chữ số in trên lưng để chỉ giá trị của điện trở. Hai chữ số
đầu là giá trị thông dụng và số thứ 3 là số mũ của mười (số con số không).
Ví dụ 1.17:
334 = 33 × 104ohms = 330 kilohms
222 = 22 × 102ohms = 2.2 kilohms
473 = 47 × 103 ohms = 47 kilohms
105 = 10 × 105 ohms = 1.0 megohm
Điện trở dưới 100 ohms sẽ ghi: số cuối = 0 (Vì 100 = 1).
Tóm tắt nội dung tài liệu: Giáo trình Kỹ thuật điện tử (Phần 1)
BỘ CÔNG THƯƠNG TRƯỜNG CAO ĐẲNG KỸ THUẬT CAO THẮNG KHOA ĐIỆN TỬ - TIN HỌC BỘ MÔN ĐIỆN TỬ VIỄN THÔNG GIÁO TRÌNH KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ (ĐIỆN TỬ CƠ BẢN) (GIÁO TRÌNH DÙNG CHO HỆ CAO ĐẲNG CHUYÊN NGHIỆP CÁC NGÀNH CNKT: CƠ ĐIỆN TỬ, NHIỆT (CƠ ĐIỆN LẠNH), ĐIỆN-ĐIỆN TỬ, ĐIỆN TỬ TRUYỀN THÔNG, TỰ ĐỘNG HÓA VÀ ĐIỀU KHIỂN HỆ CAO ĐẲNG NGHỀ: KỸ THUẬT MÁY LẠNH VÀ ĐHKK, ĐIỆN TỬ CÔNG NGHIỆP, KỸ THUẬT SỮA CHỮA LẮP RÁP MÁY TÍNH HỆ TRUNG CẤP: CNKT NHIỆT (ĐIỆN LẠNH)) TP. HỒ CHÍ MINH, 09 - 2018 (LƯU HÀNH NỘI BỘ) Mục lục Trang i MỤC LỤC CHƯƠNG 1: LINH KIỆN THỤ ĐỘNG ................................................................................ 1 1.1. CÁC ĐỊNH LUẬT CƠ BẢN ...................................................................................... 1 1.1.1. Định luật Ohm ......................................................................................................... 1 1.1.2. Định luật phân áp .................................................................................................... 1 1.1.3. Định luật phân dòng ................................................................................................ 3 1.1.4. Biến đổi tương đương giữa nguồn dòng và nguồn áp ............................................. 3 1.2. ĐIỆN TRỞ (RESISTOR) ............................................................................................ 5 1.2.1. Khái niệm ................................................................................................................ 5 1.2.2. Ký hiệu .................................................................................................................... 5 1.2.3. Đơn vị...................................................................................................................... 5 1.2.4. Các thông số kỹ thuật .............................................................................................. 5 1.2.5. Công dụng ............................................................................................................... 6 1.2.6. Phân loại và cấu tạo ................................................................................................ 6 1.2.7. Cách biểu thị giá trị điện trở ................................................................................... 7 1.2.8. Điện trở SMD (SMD-Surface Mount Devices) ...................................................... 9 1.2.9. Biến trở.................................................................................................................. 11 1.2.10. Ghép điện trở......................................................................................................... 12 1.3. TỤ ĐIỆN (CAPACITOR) ......................................................................................... 12 1.3.1. Khái niệm .............................................................................................................. 12 1.3.2. Ký hiệu .................................................................................................................. 12 1.3.3. Đơn vị.................................................................................................................... 13 1.3.4. Thông số kỹ thuật .................................................................................................. 13 1.3.5. Công dụng ............................................................................................................. 13 1.3.6. Phân loại ................................................................................................................ 13 1.3.7. Cấu tạo .................................................................................................................. 13 1.3.8. Cách ghi giá trị điện dung ..................................................................................... 15 1.3.9. Đặc tính của tụ điện .............................................................................................. 16 1.3.10. Ghép tụ điện .......................................................................................................... 16 1.4. CUỘN CẢM (INDUCTOR) .................................................................................... 17 1.4.1. Khái niệm .............................................................................................................. 17 1.4.2. Ký hiệu .................................................................................................................. 17 1.4.3. Đơn vị.................................................................................................................... 17 1.4.4. Cách ghi giá trị độ tự cảm ..................................................................................... 18 1.4.5. Đặc tính của cuộn cảm .......................................................................................... 18 1.4.6. Phân loại và cấu tạo .............................................................................................. 18 1.4.7. Ghép cuộn dây ...................................................................................................... 18 1.4.8. Công dụng ............................................................................................................. 19 CHƯƠNG 2: CHẤT BÁN DẪN VÀ DIODE ....................................................................... 25 2.1. CHẤT BÁN DẪN ..................................................................................................... 25 2.1.1. Khái niệm .............................................................................................................. 25 2.1.2. Chất bán dẫn thuần ................................................................................................ 25 2.1.3. Chất bán dẫn pha tạp ............................................................................................. 26 2.1.4. Mối nối P-N .......................................................................................................... 28 2.2. DIODE BÁN DẪN ...................................................................................................... 28 2.2.1. Cấu tạo, ký hiệu ...................................................................................................... 28 2.2.2. Nguyên lý hoạt động ............................................................................................. 29 2.2.3. Đặc tuyến Vôn - Ampe của Diode ........................................................................ 30 Mục lục Trang ii 2.2.4. Điện trở của diode ................................................................................................. 31 2.2.5. Mạch điện tương đương của diode ........................................................................ 32 2.2.6. Cơ chế đánh thủng trong diode .............................................................................. 36 2.2.7. Các thông số kỹ thuật của diode ............................................................................ 37 2.3. MỘT SỐ DIODE BÁN DẪN ...................................................................................... 37 2.3.1. Diode chỉnh lưu ..................................................................................................... 37 2.3.2. Diode phát quang – LED (Light Emitting Diode) ................................................. 37 2.3.3. Diode zener ............................................................................................................ 39 2.4. ỨNG DỤNG CỦA DIODE ......................................................................................... 41 2.4.1. Chỉnh lưu ............................................................................................................... 41 2.4.2. Ứng dụng của diode zener trong mạch ổn áp ........................................................ 45 2.4.3. Mạch nguồn DC .................................................................................................... 46 2.4.4. Mạch chỉnh lưu tăng đôi điện thế kiểu Latour....................................................... 48 2.4.5. Mạch ghim ............................................................................................................. 48 CHƯƠNG 3: TRANSISTOR LƯỠNG CỰC ....................................................................... 57 3.1. TỔNG QUAN VỀ BJT .............................................................................................. 57 3.2. CÁC TRẠNG THÁI HOẠT ĐỘNG CỦA TRANSISTOR LƯỠNG CỰC .............. 58 3.2.1. Mạch phân cực cơ bản ........................................................................................... 58 3.2.2. Đặc tuyến Vôn – Ampe ......................................................................................... 60 3.3. CÁC THÔNG SỐ KỸ THUẬT CƠ BẢN CỦA BJT ................................................ 62 3.3.1. Hệ số khuếch đại dòng điện DC (hFE) ................................................................... 62 3.3.2. Điện áp giới hạn .................................................................................................... 63 3.3.3. Dòng điện giới hạn ................................................................................................ 63 3.3.4. Công suất giới hạn ................................................................................................. 63 3.4. PHÂN CỰC CHO BJT .............................................................................................. 64 3.4.1. Phân cực bằng hai nguồn riêng.............................................................................. 64 3.4.2. Phân cực bằng một nguồn chung (cực B, fixed bias) ............................................ 67 3.4.3. Phân cực bằng một nguồn chung có điện trở ổn định nhiệt RE ............................ 70 3.4.4. Phân cực bằng mạch chia áp.................................................................................. 73 3.4.5. Phân cực hồi tiếp từ cực C ..................................................................................... 77 3.5. BJT LÀM VIỆC TRONG CHẾ ĐỘ CHUYỂN MẠCH............................................ 79 3.6. MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ DÙNG TRANSISTOR ............................ 81 3.6.1. Mô hình tương đương AC của BJT ....................................................................... 81 3.6.2. Mạch khuếch đại mắc kiểu E chung (CE) ............................................................. 81 3.6.3. Mạch khuếch đại tín hiệu ngỏ mắc cực thu chung (CC) ....................................... 86 3.6.4. Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ mắc cực nền chung (CB) ....................................... 87 CHƯƠNG 4: TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG - FET .............................................. 97 4.1. KHÁI NIỆM .............................................................................................................. 97 4.2. TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG LOẠI MỐI NỐI – JFET (JUNCTION FET) .................................................................................................................................... 97 4.2.1. Cấu tạo ................................................................................................................... 97 4.2.2. Nguyên lý hoạt động và đặc tuyến Volt-Ampe ..................................................... 97 4.2.2.1. Xét trường hợp VGS = 0 (ngắn mạch G-S), VDS>0: ....................................... 98 4.2.2.2. Xét trường hợp VGS 0: .................................................................. 99 4.2.2.3. Vùng thắt kênh – Vùng bão hòa: ................................................................. 100 4.2.3. Phân cực cho JFET ................................................................................................. 100 4.2.3.1. Mạch phân cực cố định (fixed bias): ............................................................ 100 4.2.3.2. Mạch tự phân cực: ........................................................................................ 103 4.2.3.3. Phân cực dùng cầu phân áp: ......................................................................... 107 Mục lục Trang iii 4.3. TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG LOẠI CỰC CỔNG CÁCH LY – MOSFET .......................................................................................................................... 110 4.3.1. MOSFET kênh có sẵn D-MOSFET (Deleption MOSFET) ................................ 110 4.3.1.1. Cấu tạo: ........................................................................................................ 110 4.3.1.2. Nguyên lý hoạt động cơ bản và các đặc tuyến Vôn-Ampe: ............................ 110 4.3.1.3. Phân cực D-MOSFET: ................................................................................ 111 4.3.2. MOSFET kênh cảm ứng E-MOSFET (Enhancement MOSFET) ...................... 117 4.3.2.1. Cấu tạo: ........................................................................................................ 117 4.3.2.2. Đặc tuyến Vôn–Ampe: ................................................................................ 117 4.3.2.3. Phân cực cho E-MOSFET: .......................................................................... 118 4.4. MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ SỬ DỤNG TRANSISTOR TRƯỜNG FET ................................................................................................................................. 122 4.4.1. Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ mắc CS ............................................................... 124 4.4.2. Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ mắc CD ............................................................... 125 4.4.3. Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ mắc CG ............................................................... 127 CHƯƠNG 5: MẠCH KHUẾCH ĐẠI THUẬT TOÁN ..................................................... 134 5.1. GIỚI THIỆU OP-AMP ............................................................................................ 134 5.1.1. Ký kiệu và đặc tính của Op-Amp........................................................................ 134 5.1.2. Đặc tuyến truyền đạt của Op-Amp ..................................................................... 135 5.2. MẠCH KHUẾCH ĐẠI SỬ DỤNG OP-AMP ........................................................ 136 5.2.1. Mạch khuếch đại không đảo ............................................................................... 136 5.2.2. Mạch đệm không đảo .......................................................................................... 137 5.2.3. Mạch khuếch đại đảo .......................................................................................... 138 5.2.4. Mạch khuếch đại cộng đảo .................................................................................. 139 5.2.5. Mạch khuếch đại cộng không đảo ....................................................................... 141 5.2.6. Mạch trừ .............................................................................................................. 144 5.3. MẠCH SO SÁNH SỬ DỤNG OP-AMP ................................................................ 145 5.3.1. Mạch so sánh với điện áp 0V .............................. ... 36. Đường tải một chiều cho ví dụ 3.10 Xác định các điện áp khác: Điện áp cực C: VC = ICRC = 3V Điện áp cực E: VE = VEE – IC.RE = 11,34V Điện áp cực C: VB = VE – VEB = 10,64V 3.4.5. Phân cực hồi tiếp từ cực C Sơ đồ nguyên lý: mạch phân cực cho BJT bằng hồi tiếp từ cực C được trình bày trong hình 3.27. BR CR CCV BEV CEV BI C I C BI I iv ov Hình 3.37. Phân cực hồi tiếp từ cực thu Xác định điểm làm việc tĩnh (Q): điểm tĩnh là giao điểm của đường đặc tuyến ngõ ra và đường tải một chiều, để xác định điểm làm việc tĩnh trước hết ta cần xác định dòng điện IB. Áp dụng định luật Kirchhoff II cho mạch vòng BE (hình 3.28) ta có: CC C B C B B BEV I I R I R V Và mối quan hệ C B I I CC BE B C B V -V I = (β+1)R +R Chương 3: Transistor lưỡng cực Trang 78 Xác định điểm làm việc tĩnh (Q): CQ B I I và CEQ CC CQ C V V I R Xác định các điện áp khác: Điện áp cực E: VE =0; Điện áp cực B: VB= VE + VBE Điện áp cực C: VC = VCE = VCC - ICRC Ví dụ 3.11: Cho mạch điện sau, xác định IB, IC, VCE, VB, VC, VE 330k 2,2k 12V RC RB 100 Hình 3.38. Mạch phân cực hồi tiếp từ cực C (Ví dụ 3.11) Giải: Áp dụng định luật Kirchhoff II cho mạch vòng BE ta có: CC C B C B B BE V I I R I R V 12 0,7 20,4 ( 1) 330 101 2,2 CC BE B B C V V V V I A R R k k 100.20,4 2,04C BI I A mA 12 2,04 2,2 7,51( )CE CC C CV V I R V V VE = 0 VB = VE + VBE = 0,7V VC = VCE = 7,51V Ví dụ 3.12: Cho mạch điện sau, xác định IB, IC, VCE, VB, VC, VE 1,2k 250k 4,7k 10V RC RB R E 90 Hình 3.39. Mạch phân cực hồi tiếp từ cực C (Ví dụ 3.12) Chương 3: Transistor lưỡng cực Trang 79 Giải: 10 0,7 11,9 250 90 4,7 1,2 CC BE B B C E V V V V I A R R R k k k 90.11,9 1,07 C B I I A mA 10 1,07 4,7 1,2 3,69 CE CC C C E V V I R R V mA k k V VE = IE.RE = 1,07mA.1,2kΩ = 1,28V VB = VE + VBE = 1,98V VC = VE + VCE = 4,97V 3.5. BJT LÀM VIỆC TRONG CHẾ ĐỘ CHUYỂN MẠCH Trong các mạch điều khiển xung, mạch số, mạch logic, transistor làm việc như một một khóa điện tử, hoạt động ở 2 trạng thái: khi transistor dẫn bão hòa hoạt động như khóa đóng, transistor tắt hoạt động như khóa mở. CR CCV B R 0 V I C IB = 0 CR CCV C E CR CCV B R V I B CR CCV C E BB + - I C(sat) I C(sat) (a) Transistor tắt (b) Transistor dẫn bão hòa Hình 3.40. Transistor hoạt động như một khóa điện tử Trạng thái khóa mở: BJT làm việc ở chế độ ngắt (ngắt mạch không có dòng đi qua BJT): CCCE off V V Trạng thái khóa đóng: BJT làm việc ở chế độ dẫn bão hòa (ngắn mạch cho dòng đi qua BJT): ( ) ( ) CC CE sat C sat C V V I R ; ( ) 0 CE sat V Dòng điện IB(min) để transistor hoạt động bão hòa: (min) C sat B I I : để transistor hoạt động bão hòa minB B I I Ví dụ 3.13: Cho mạch sau, xác định: C R CCV B R V I B V IN 10V OUT 1k Hình 3.41. Hình vẽ cho ví dụ 3.13 Chương 3: Transistor lưỡng cực Trang 80 Giải: a) Xác định VOUT khi VIN =0V b) Xác định IB (min) khi transistor hoạt động bão hòa biết 200 c) Xác định RB (max) để transistor bão hòa biết VIN=5V Giải: a) Khi VIN=0V thì transistor tắt 10 out CCCE off V V V V b) Khi transistor hoạt động bão hòa thì: ( ) ( ) 10 10 1 CC CE sat C sat C V V V I mA R k (min) 10 50 200 C sat B I mA I A c) Xác định RB (max) khi VIN=5V: (min) 6 (min) 5 0,7 4,3 86000 86 50 50.10 IN BE B B B IN BE B B V V I I R V V V V V R k I A A Ví dụ 3.14 Cho mạch sau, biết transistor có 50 , VCC = 12V và RB = 10kΩ. Xác định RC và biên độ của VIN để LED sáng bình thường C R B R I B 10V CCV OFF ON ON 1s V IN Hình 3.42. Hình vẽ cho ví dụ 3.14 Giải: 10 LEDC sat I I mA 12 2 1 10 CC LED CE sat C LED V V V V V R k I mA (min) 10 200 50 C sat B I mA I A Để đảm bảo transistor hoạt động bão hòa, ta chọn: min 2 400 B B I I A 400 .10 0,7 4,7 IN B B BE V I R V A k V V Chương 3: Transistor lưỡng cực Trang 81 3.6. MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ DÙNG TRANSISTOR 3.6.1. Mô hình tương đương AC của BJT Hình 3.43. Mạch tương đương ac của transistor npn Trong đó, re là điện trở động (điện trở ac) giữa cực b và cực e: 25T e EQ EQ V mV r I I 3.6.2. Mạch khuếch đại mắc kiểu E chung (CE) Trong mạch khuếch đại mắc kiểu E chung, tín hiệu ngõ vào Vin được nối vào cực B thông qua tụ liên lạc ngõ vào, tín hiệu ngõ ra Vout trên tải được nối vào cực C thông qua tụ liên lạc ngõ ra. Tín hiệu ngõ ra mạch khuếch đại lệch pha 1800 với tín hiệu ngõ vào. Khi phân tích hoạt động của mạch khuếch đại tín hiệu ac, trong mạch tương đương ac cần ngắn mạch các tụ và các nguồn áp một chiều. 1R CR CCV 2R E R iv ov iZ oZ Hình 3.44. Mạch khuếch đại mắc E chung Mạch tương đương tín hiệu nhỏ: Chương 3: Transistor lưỡng cực Trang 82 1 2R / /R er b i iv B C E bi ci CR ov iZ o Z Hình 3.45. Mạch tương đương tín hiệu nhỏ Trở kháng ngõ vào mạch khuếch đại trở ngõ vào là trở kháng nhìn vào cực B của mạch khuếch đại: 1 2 / / / / i e Z R R r Trở kháng ngõ ra của mạch khuếch đại E chung là trở kháng tại cực thu (cực C) là điện trở cực thu được xác định khi Vi = 0: o CZ R Độ lợi áp của mạch khuếch đại được xác định bằng điện áp ngõ ra tại cực thu chia cho điện áp ngõ vào trên cực B: ov i V A V Ta có: . i b e v i r Và: . o c C v i R . . o c C C v i b e e V i R R A V i r r Ví dụ 3.15 Xác định tổng trở vào, tổng trở ngõ ra và độ lợi áp của mạch sau, biết transistor có 200 22k R1 6,8k R2 12V RC 1k R E 560 Z Z 200 o V i i Vo V CC Hình 3.46. Mạch khuếch đại mắc E chung cho ví dụ 3.15 Giải: Xác định giá trị tĩnh IEQ: Ta có 200.560 112ER k ; 210 10.6,8 68R k k 2 10 E R R Chương 3: Transistor lưỡng cực Trang 83 2 1 2 6,8 12 2,83 6,8 22 0,7 2,13 2,13 3,8 560 B TH CC E B E E E R k V V V V V R R k k V V V V V V I mA R Điện trở động: 25 25 6,6 3,8 T e EQ EQ V mV mV r I I mA Tổng trở ngõ vào: 22 / /6,8 / /200.6,6 0,87 i Z k k k Tổng trở ngõ ra: 1 o C Z R k Độ lợi áp: 1 151 6,6 C v e R k A r Ví dụ 3.16 Xác định tổng trở vào, tổng trở ngõ ra và độ lợi áp của mạch sau 56k R1 8,2k R2 10uF 22V RC 6,8k R E 1,5k 10uF 20uF Z Z 90 o V i i Vo V CC Hình 3.47. Mạch khuếch đại E chung cho ví dụ 3.16 Giải: Ta có 1,4 EQ I mA 26 26 18,6 1,4 e EQ mV mV r I mA 90.18,6 1,67 e r k 1 2 / / 7,15 B R R R k / / 1,35 i B e Z R r k 6,8 o C Z R k Chương 3: Transistor lưỡng cực Trang 84 6,8 365,6 18,6 C v e R k A r Ví dụ 3.17: Xác định tổng trở vào, tổng trở ngõ ra và độ lợi áp của mạch sau: 82k R1 22k R2 12V RC 5,6k R E 1,2k Z Zo V i i Vo V CC 10uF 10uF 10uF C1 RL 1k C2 C3 Hình 3.48. Mạch khuếch đại E chung cho ví dụ 3.17 Giải: / / 17,3 / /2 1,8 5 6 / / 42 . 77 i B e o C C L v e i i v L Z R r k k k Z R k R R A r Z A A R Ví dụ 3.18: Xác định tổng trở vào, tổng trở ngõ ra và độ lợi áp của mạch sau: 47k R1 10k R2 10V RC 2,2k R E 470 Zo Vo V CC 10uF 100uF 10uF C1 RL 10k C2 C3 R S Vi 600 150 Hình 3.49. Mạch khuếch đại E chung cho ví dụ 3.18 Chương 3: Transistor lưỡng cực Trang 85 Mạch tương đương ở chế độ DC: 47k R1 10k R2 10V RC 2,2k R E 470 V CC Hình 3.50. Mạch tương đương ở chế độ DC. 1 2 1 2 . 8,25TH R R R k R R 2 1 2 . 1,75TH CC R V V V R R 2 / TH BE E E TH V V I mA R R 2C EI I mA 0,94E E EV I R V 0,7 1,64B EV V V . 5,6C CC C CV V I R V Mạch tương đương ở chế độ AC: Hình 3.51. Mạch tương đương ở chế độ AC Chương 3: Transistor lưỡng cực Trang 86 ' '25 12,5 ; 1,87e e E mV r r k I ' '1 2 ' 1 2 ( / / / / ) . . / / / / e S i b e e R R r R v i r R R r ' 0 .C Cv i R ' ' ' 1 2 ' ' ' '1 2 1 2 ' 1 2 . / / / / . 219 ( / / / / ) ( / / / / ) . . / / / / o C C C e v e Si e e S b e e v i R R R R r A R R r Rv r R R r R i r R R r ' 25. . 833e EQ r I 3.6.3. Mạch khuếch đại tín hiệu ngỏ mắc cực thu chung (CC) Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ mắc cực thu chung (CC) cho độ lợi áp xấp xỉ bằng 1, trở kháng ngõ vào nhỏ. Tín hiệu vào mạch khuếch đại được nối vào cực nền thông qua tụ liên lạc ngõ vào C1, tín hiệu ngõ ra trên tải được lấy trên cực tải qua tụ liên lạc C2. R1 R2 10V RC R E V CC C1 RL C2V i i Vout Hình 3.52. Mạch khuếch đại mắc C chung. Độ lợi áp: out e v in b V V A V V Trong đó / / out e e e E L V I R I R R ' in e e e V I r R '' e e e v e ee e e I R R A r RI r R Nếu Re>>re’ thì Av ≈ 1 Trở kháng ngõ vào cực nền: ' 'e e ein b e ein base in b b I r RV V R r R I I I Trở kháng ngõ vào tổng: 1 2 / / / / in in base Z R R R Chương 3: Transistor lưỡng cực Trang 87 Trở kháng ngõ ra: ' / // / B S out E e R R Z R r Độ lợi dòng điện: / out out L in i in in in L I V R Z A I V Z R Ví dụ 3.19: Xác định các thông số ac của mạch điện sau: R1 R2 10V 18k R E V CC 1uF C1 RL C2 V i 51k 470 470 Vout 10uF 3V rms 2N3904 Hình 3.53. Mạch khuếch đại C chung ví dụ 3.19. Giải: Ta có 2 1 2 51 10 7,4 18 51 B CC R k V V V V R R k k 7,4 0,7 6,7 E B BE V V V V V V 6,7 14, 2 470 E E E V V I mA R ' 25 1,76 14,2 e mV r mA Độ lợi áp: ' 235 0,99 237 e v e e R A r R 3.6.4. Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ mắc cực nền chung (CB) Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ mắc cực nền chung (CB) cho độ lợi áp cao và độ lợi dòng xấp xỉ bằng 1, trở kháng ngõ vào nhỏ. Tín hiệu vào mạch khuếch đại mắc cực nền chung (CB) được nối vào cực phát (E) thông qua tụ liên lạc ngõ vào C1, tín hiệu ngõ ra trên tải được lấy trên cực thu qua tụ liên lạc C3. Chương 3: Transistor lưỡng cực Trang 88 R1 R2 RE V CC C2 R L C3 Vi Vout C1 RC Hình 3.54. Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ mắc B chung. Độ lợi áp của mạch ' out c v in e V R A V r với ' / / c C L R R R Trở kháng ngõ vào / /in E e eZ R r r Trở kháng ngõ ra Zout = RC Độ lợi dòng của mạch i A Ví dụ 3.20: Xác định tổng trở vào, tổng trở ngõ ra và độ lợi áp của mạch sau, biết transistor có 250 R1 R2 RE V CC C2 R L C3 i Vout C1 RC 2N3904 1uF 100uF 12k C 1k 10k 2,2k 56k 1uF Hình 3.55. Mạch khuếch đại mắc B chung cho ví dụ 3.20 Giải: Xác định giá trị tĩnh IEQ: Ta có 250.1 250ER k k ; 210 10.12 120R k k 2 10 E R R 2 1 2 12 10 1,76 12 56 B TH CC R k V V V V V R R k k Chương 3: Transistor lưỡng cực Trang 89 0,7 1,06 1,06 1,06 1 E B E E E V V V V V V I mA R k Điện trở động: 25 25 24 1,06 T e EQ EQ V mV mV r I I mA Tổng trở ngõ vào: 24 i e Z r Tổng trở ngõ ra: 2,2 o C Z R k Độ lợi áp: / / 2, 2 / /10 1,8 75 24 24 C L v e R R k k k A r CÂU HỎI ÔN TẬP VÀ BÀI TẬP CHƯƠNG 3 A. TRẮC NGHIỆM Câu 1: Giá trị dòng điện IB là: A. 200uA B. 75uA C. 100uA D. 50uA Câu 2: Giá trị dòng điện IC là: A. 1,5mA B. 1mA C. 4mA D. 2mA Câu 3: Giá trị điện thế VE là: A. 1,5V B. 1V C. 2V D. 4V Câu 4: Giá trị điện thế phân cực VB là: A. 4,7V B. 1,7V C. 2,2V D. 2,7V Câu 5: Giá trị điện thế VC là: A. 5V B. 6V C. 7V D. 4V Câu 6: Giá trị điện thế phân cực VCE là: A. 3V B. 2V C. 4V D. 5V Câu 7: Phương trình đường tải một chiều (DCLL): A. B. C. D. Câu 8: Tổng trở ngõ vào Zi là: A. 2,5kΩ B. 3kΩ C. 1kΩ D. 630kΩ Câu 9: Tổng trở ngõ ra Zo là: A. 3kΩ B. 5kΩ C. 1,2kΩ D. 2kΩ Câu 10: Độ lợi áp là: A. 90 B. -90 C. -160 D. -240 Câu 11: Độ lợi dòng là: A. -130 B. -75 C. 75 D. Đáp án khác 9 2 CE C V V I k 9 1 CE C V V I k 9 3 CE C V V I k 9 3 CE C V V I k O v i V A V O i i I A I Chương 3: Transistor lưỡng cực Trang 90 Câu 12: Khi hở tụ C3 thì giá trị độ lợi áp : A. Tăng B. Giảm C. Không đổi Câu 13: Khi hở tụ C3 thì tổng trở ngõ vào Zi: A. Không đổi B. Giảm C. Tăng Câu 14: Khi không có tải RL thì giá trị độ lợi áp : A. Không đổi B. Tăng C. Giảm Câu 15: Khi không có tải RL thì tổng trở ngõ ra Zo: A. Tăng B. Giảm C. Không đổi Cho mạch điện sau, biết BJT loại Si và có β=150 trả lời các câu từ 16 đến 26 Câu 16: Dòng điện phân cực IC là: A. 0,6mA B. 3,6mA C. 2,6mA D. 1,6mA Câu 17: Dòng điện phân cực IB là: A. 4uA B. 17uA C. 10uA D. 24uA Câu 18: Điện thế phân cực VE là: A. 4V B. 2V C. 1V D. 3V Câu 19: Điện thế phân cực VC là: A. 8,4V B. 10,4V C. 9,4V D. 11,4V Câu 20: Điện thế phân cực VB là: A. 1,7V B. 4,7V C. 3,7V D. 2,7V Câu 21: Giá trị điện thế phân cực VCE là: A. 7,4V B. 8,4V C. 9,4V D. 6,4V Câu 22: Điểm nào sau đây thuộc đường tải tĩnh: A. (6V;3,85mA) B. (0V;7,70mA) C. (12V;0mA) D. Tất cả các đáp án trên Câu 23: Độ lợi áp của mạch là: A. 70 B. -140 C. 140 D. -70 O v i V A V O v i V A V O v i V A V Chương 3: Transistor lưỡng cực Trang 91 Câu 24: Khi không có tải RL, độ lợi áp của mạch là: A. -70 B. 70 C. -140 D. 140 Câu 25: Khi tụ C3 bị hở thì tổng trở ngõ vào: A. Giảm B. Tăng C. Không đổi Câu 26: Khi tụ C3 bị hở thì tổng trở ngõ ra: A. Không đổi B. Tăng C. Giảm B. CÂU HỎI TỰ LUẬN VÀ BÀI TẬP 3.1 Trình bày cấu tạo, kí hiệu và phân loại BJT. 3.2 Trình bày các trạng thái hoạt động của một BJT. 3.3 Cho biết các thông số kỹ thuật cơ bản của một BJT. 3.4 Phân cực cho BJT là gì? Liệt kê các cách để phân cực cho BJT. 3.5 Cho mạch điện sau. Xác định IBQ, ICQ, VCEQ, VE, VC, VB. Xác định lại RB để transistor hoạt động bão hòa. ĐS: Chọn 3.6 Cho mạch điện sau. Xác định RB, IC, RC và VCE. ĐS: 3.7 Cho mạch điện sau. Xác định IC, VCC, β và RB O v i V A V 30 ; 3,6 ; 9,52 ; 0; 9,52 ; 0,7 Q Q QB C CE E C B I A I mA V V V V V V V 206 B R k 282,5 ; 3,2 ; 1,875 ; 6 B C C CE R k I mA R k V V Chương 3: Transistor lưỡng cực Trang 92 ĐS: 3.8 Cho mạch điện sau. Xác định IBQ, ICQ, VCEQ, VE, VC, VB. 3.9 Cho mạch điện như hình sau. Xác định RC, RE, RB, VCE và VB 3.10 Cho mạch như hình sau. Xác định β, VCC và RB 4 ; 16 ; 200; 765 C CC B I mA V V R k Chương 3: Transistor lưỡng cực Trang 93 3.11 Cho mạch điện trong hình sau. Xác định IBQ, ICQ, VCEQ, VE, VC, VB. 3.12 Cho mạch điện trong hình sau. Xác định IC, VE, VB và R1 3.13 Cho mạch điện trong hình sau. Xác định IC, VE, VCE, VB, VCC và R1 3.14 Cho mạch điện trong hình sau. Xác định IB, IC và VC Chương 3: Transistor lưỡng cực Trang 94 3.15 Cho mạch điện trong hình sau. Xác định IC và VCE 3.16 Cho mạch điện trong hình sau. Xác định VE, IC, VC,VCE, IB và β 3.17 Cho mạch điện như hình sau. Xác định Zi, Zo, và Av 3.18 Cho mạch điện như hình sau. Biết Av=-160. Xác định VCC Chương 3: Transistor lưỡng cực Trang 95 3.19 Cho mạch điện như hình sau. Xác định Zi, Zo, và Av 3.20 Cho mạch điện như hình sau. Xác định Zi, Zo, và Av 3.21 Cho mạch điện như hình sau. Xác định Zi, Zo, và Av Chương 3: Transistor lưỡng cực Trang 96 3.22 Cho mạch điện như hình sau. Xác định Zi, Zo, và Av 3.23 Cho mạch điện sau, biết BJT loại Si và có β=200 trả lời các câu từ 36 đến 50 RB 630kΩ RC 2kΩ RE 1kΩ +9V C2 C1 C3 RL 3kΩ Vi Zi Zo IO Ii VO + -
File đính kèm:
- giao_trinh_ky_thuat_dien_tu_dien_tu_co_ban.pdf