Bài giảng Phát xạ điện tử thứ cấp

PHÁT XẠ ĐIỆN TỬ THỨ CẤP
Thực Hiện: Nguyễn Văn Thọ
Phát xạ điện tử thứ cấp là gì?
Nguồn: Scanning electron microscopy (SEM) D.S. Su
CƠ SỞ LÝ THUYẾT
• Hệ số phát xạ thứ cấp
• Is Tổng dòng phát xạ 
electron thứ cấp
• Ip Tổng dòng phát xạ 
electron sơ cấp 
Characterization of the Dose Effect in Secondary Electron Emission
Prashanth Kumar
B.E, University of Madras, 2003
Tóm tắt lý thuyết lye và dekker
• n(x;E0)dx là số hạt thứ cấp được tạo ra 
dưới năng lượng ban đầu E0 của hạt tới 
với độ dày dx và ở độ sâu x so với bề 
mặt.
Characterization of the Dose Effect in Secondary Electron Emission
Prashanth Kumar
B.E, University of Madras, 2003
Tóm tắt lý thuyết lye và dekker
• f(x) Là hàm phân bố của hạt thứ cấp dọc 
theo trục x và thoát ra bề mặt.
Characterization of the Dose Effect in Secondary Electron Emission
Prashanth Kumar
B.E, University of Madras, 2003
Tóm tắt lý thuyết lye và dekker
Characterization of the Dose Effect in Secondary Electron Emission
Prashanth Kumar
B.E, University of Madras, 2003
Độ mất mát năng lượng của hạt sơ cấp được tính 
bằng định luật Whiddington's: dE/dx = -Ep/R trong 
đó A là hằng số đặt trưng cho vật liệu, R độ xuyên 
sâu.
R được xác định thông qua
n nằm trong khoảng 1,3 – 1,6
Tóm tắt lý thuyết lye và dekker
Characterization of the Dose Effect in Secondary Electron Emission
Prashanth Kumar
B.E, University of Madras, 2003
Với K là hệ số, r được xác định thông qua:
Sử dụng điều kiện
Ta có
Tóm tắt lý thuyết Dionne
Characterization of the Dose Effect in Secondary Electron Emission
Prashanth Kumar
B.E, University of Madras, 2003
Tổng số hạt electron thứ cấp bằng (-dE/dx)/
Trong đó dE/dx là năng lượng bị mất mát, còn là năng 
lượng mà một electron thoát ra 
Độ mất mát năng lượng của hạt sơ cấp được tính 
bằng định luật Whiddington's: dE/dx = -Ep/R trong 
đó A là hằng số đặt trưng cho vật liệu, R độ xuyên 
sâu.
R được xác định thông qua
n nằm trong khoảng 1,3 – 1,6
Tóm tắt lý thuyết Dionne
Characterization of the Dose Effect in Secondary Electron Emission
Prashanth Kumar
B.E, University of Madras, 2003
Hệ số phát xạ thứ cấp được xác định bằng công thức:
Trong đó
B xắc suất để hạt thoát ra khỏi bề mặt
Năng lượng excitation của điện tử thứ cấp
Hệ số hấp thụ của điện tử thứ cấp
A Hệ số hấp thụ của điện tử sơ cấp
d Độ xuyên sâu cực đại