Bài giảng Kỹ thuật thông tin quang - Chương 4: Bộ thu quang - Đỗ Văn Việt Em

HỌC VIỆN CƠNG NGHỆ BƯU CHÍNH VIỄN THƠNG
BÀI GIẢNG 
KỸ THUẬT THƠNG TIN QUANG 
Fundamental of Optical Fiber Communications
Giảng viên: Th.S Đỗ Văn Việt Em – Th.S Phạm Quốc Hợp
Bộ mơn: Thơng Tin Quang – Khoa Viễn thơng 2
Email: emdvv@ptit.edu.vn, pqhop@ptithcm.edu.vn
KỸ THUẬT THƠNG TIN QUANG
CHƯƠNG 4
BỘ THU QUANG 
www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ĐỖ VĂN VIỆT EM - PHẠM QUỐC HỢPBỘ MƠN: THƠNG TIN QUANG – KHOA VIỄN THƠNG 2 Trang 2
NỘI DUNG CHƯƠNG 4
• Các khái niệm cơ bản 
• Các phần tử chuyển đổi quang- điện bán 
dẫn 
• Các bộ tiền khuyếch đại
Nhiễ t bộ th• u rong u quang
• Các tham số của bộ thu quang
www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ĐỖ VĂN VIỆT EM - PHẠM QUỐC HỢPBỘ MƠN: THƠNG TIN QUANG – KHOA VIỄN THƠNG 2 Trang 3
Các Khái Niệm Cơ Bản
• Linh kiện tách sóng quang: 
- Biến đổi tín hiệu ánh sáng thành tín hiệu điện 
có cường độ dòng điện tỷ lệ với công suất 
ánh sáng chiếu vào nó.
• Nguyên lý hoạt động:
−Mối tiếp giáp pn phân cực ngược
− Hiện tượng hấp thụ (absorption)
www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ĐỖ VĂN VIỆT EM - PHẠM QUỐC HỢPBỘ MƠN: THƠNG TIN QUANG – KHOA VIỄN THƠNG 2 Trang 4
Các Khái Niệm Cơ Bản
• Hai loại linh kiện tách sóng quang:
− PIN: diode thu quang có 3 lớp bán dẫn P, I, N
− APD (Avelanche Photodiode) : diode thác lũ
• Vùng bước bước sóng hoạt động của linh kiện 
thu quang phụ thuộc vào vật liệu chế tạo
www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ĐỖ VĂN VIỆT EM - PHẠM QUỐC HỢPBỘ MƠN: THƠNG TIN QUANG – KHOA VIỄN THƠNG 2 Trang 5
Các Thơng Số Cơ Bản
• Hiệu suất lượng tử (Quantum Efficiency)
ne: số lượng điện tử tách ra η eIn phe /==
nph: số lượng photon chiếu vào
Hiệu suất biến đổi quang điện
νhPn optph /
− -
− η của mỗi vật liệu thay đổi theo bước sóng ánh sáng
www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ĐỖ VĂN VIỆT EM - PHẠM QUỐC HỢPBỘ MƠN: THƠNG TIN QUANG – KHOA VIỄN THƠNG 2 Trang 6
Các Thơng Số Cơ Bản
• Đáp ứng (Responsivity):
Iph: dòng quang điện ηeIR ph == Popt: công suất quang
− Phu thuộc:
νhPopt
ï 
+ hiệu suất lượng tử
+ bước sóng hoạt động
R (A/W)
0,88
Photodiode 
lý tưởng
Photodiode 
điển hình0,44
(mm)0
www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ĐỖ VĂN VIỆT EM - PHẠM QUỐC HỢPBỘ MƠN: THƠNG TIN QUANG – KHOA VIỄN THƠNG 2 Trang 7
0,5 1 c
Các Thơng Số Cơ Bản
• Độ nhạy (Sensitivity):
− Là mức công suất quang thấp nhất mà linh kiện thu 
ù h å h đ ùi ä û á l ãi (BER) h áquang co t e t u ược vơ mot ty so o n at 
định
− Phu thuộc vào loai linh kiện tách sóng quang và múcï ï 
nhiễu của bộ khuếch đại điện
− Tốc độ bit ruyền dẫn càng cao thì độ nhạy của thiết 
bị thu càng kém
www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ĐỖ VĂN VIỆT EM - PHẠM QUỐC HỢPBỘ MƠN: THƠNG TIN QUANG – KHOA VIỄN THƠNG 2 Trang 8
Các Thơng Số Cơ Bản
• Dải động (Dynamic Range):
− Là khoảng chênh lệch giữa mức công suất quang 
h á ø ù â á h á h á ø li hcao n at va mưc cong suat quang t ap n at ma n 
kiện có thể thu được trong một giới hạn tỷ số lỗi 
(BER) nhất định
− Phụ thuộc vào loại linh kiện tách sóng quang, độ 
tuyến tính và giới hạn bảo hoà của bộ khuếch đại thu
Iph
Popt
www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ĐỖ VĂN VIỆT EM - PHẠM QUỐC HỢPBỘ MƠN: THƠNG TIN QUANG – KHOA VIỄN THƠNG 2 Trang 9
Dải động Vùng bão hịa
Các Thơng Số Cơ Bản
• Nhiễu (Noise):
− Nhiễu nhiệt:
+Do điện trở tải của diode thu quang cũng như trở 
kháng vào của bộ tiền khuếch đại
+Phu thuộc vào nhiệt độ bề rộng băng tap âmï , ï , 
điện trở tải:
BKTIt .
42 >=<
– K = 1,38.10-23 J/oK: hằng số Boltzman
T: nhiệt độ tuyệt đối oK
R
– , 
– B: bề rộng băng, Hz
– R: điện trở tải, Ω
www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ĐỖ VĂN VIỆT EM - PHẠM QUỐC HỢPBỘ MƠN: THƠNG TIN QUANG – KHOA VIỄN THƠNG 2 Trang 10
Các Thơng Số Cơ Bản
• Nhiễu (Noise):
− Nhiễu lượng tử:
+Do biến động ngẫu nhiên năng lượng của các 
photon đập vào diode thu quang
+Dòng nhiễu lương tử: ï 
BIeBPReI pq ..2...2 0
2 =>=<
− Nhiễu dòng tối:
+Dòng điện nhiễu do các diode thu quang phát ra 
khi không có ánh sáng chiếu vào
+Dòng tối: BIeI dd ..22 >=<
www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ĐỖ VĂN VIỆT EM - PHẠM QUỐC HỢPBỘ MƠN: THƠNG TIN QUANG – KHOA VIỄN THƠNG 2 Trang 11
Các Khái Niệm Cơ Bản
• Sơ Đồ Khối Bộ Thu Quang:
− Bộ thu quang: là sự tổ hợp của 
− bộ tách sĩng quang
− bộ tiền khuếch đại điện
á hầ tử ử lý tí hiệ điệ− c c p n x n u n 
www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ĐỖ VĂN VIỆT EM - PHẠM QUỐC HỢPBỘ MƠN: THƠNG TIN QUANG – KHOA VIỄN THƠNG 2 Trang 12
Các Khái Niệm Cơ Bản
• Độ đáp ứng phần tử chuyển đổi quang-điện:
ƒ Photodiode cần cĩ tốc độ đáp ứng nhanh để cĩ thể hoạt 
động ới tín hiệ tốc độ cao v u .
ƒ Tốc độ đáp ứng của photodiode: 10% đến 90% giá trị đỉnh 
tín hiệu
ƒ Phụ thuộc: bước sĩng, độ rộng vùng hiếm, sự thay đổi giá trị 
điện dung, sự thay đổi giá trị điện trở của PD 
www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ĐỖ VĂN VIỆT EM - PHẠM QUỐC HỢPBỘ MƠN: THƠNG TIN QUANG – KHOA VIỄN THƠNG 2 Trang 13
Các Phần Tử Chuyển Đổi Quang- Điện Bán Dẫn
• Photodiode P-N:
ƒ mối nối P-N hoạt động ở chế độ dịng phân cực ngược 
Eg = Ec - Ev
Eph = hν
Ev
Ec -
+
www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ĐỖ VĂN VIỆT EM - PHẠM QUỐC HỢPBỘ MƠN: THƠNG TIN QUANG – KHOA VIỄN THƠNG 2 Trang 14
Các Phần Tử Chuyển Đổi Quang- Điện Bán Dẫn
• Photodiode P-N:
− Quá trình hấp thụ xảy ra chủ yếu trong vùng hiếm
− Vùng hiếm được tạo ra tự nhiên Ỉ hẹp Ỉ hiệu suất 
thấp
Muốn tăng hiệu suất biến đổi quang điện:− -
+ Tăng độ rộng của vùng hiếm bằng cách tăng 
điện áp phân cực Ỉ không hiệu quả 
+ Đặt giữa hai lớp bán dẫn P và N một lớp bán dẫn 
có độ rộng lớn có tính chất tương tựï như vùng 
hiếm
Ỉ diode thu quang PIN
www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ĐỖ VĂN VIỆT EM - PHẠM QUỐC HỢPBỘ MƠN: THƠNG TIN QUANG – KHOA VIỄN THƠNG 2 Trang 15
Các Phần Tử Chuyển Đổi Quang- Điện Bán Dẫn
• Photodiode PIN
ƒ Gồm 3 lớp bán dẫn P-I-N
ƒ Lớp I (Intrinsic): lớp bán dẫn không pha tạp chất 
hoặc pha với nồng độ rất thấp
ƒ Quá trình hấp thu photon xảy ra trong lớp I ï 
ƒ Lớp I càng dày thì hiệu suất lượng tử càng cao 
nhưng thời gian trôi của các điện tử sẽ càng chậm 
Ỉ giảm khả năng hoạt động với tốc độ cao của PIN
www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ĐỖ VĂN VIỆT EM - PHẠM QUỐC HỢPBỘ MƠN: THƠNG TIN QUANG – KHOA VIỄN THƠNG 2 Trang 16
Các Phần Tử Chuyển Đổi Quang- Điện Bán Dẫn
• Photodiode PIN
ƒ Cấu tạo bên trong của PIN:
hf
Lớp chống 
phản xạ
I
P
Vịng tiếp xúc 
kim loại
Cách điện 
(SiO2)
N
Tiế úp x c 
kim loại
www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ĐỖ VĂN VIỆT EM - PHẠM QUỐC HỢPBỘ MƠN: THƠNG TIN QUANG – KHOA VIỄN THƠNG 2 Trang 17
Các Phần Tử Chuyển Đổi Quang- Điện Bán Dẫn
• Photodiode APD:
ƒ Gồm 4 lớp P+ P-P N-
ƒ P+ và N-: bán dẫn có nồng độ tạp chất rất cao
ƒ P-: bán dẫn có nồng độ tạp chất rất thấp (thay cho 
lớp I của PIN) 
www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ĐỖ VĂN VIỆT EM - PHẠM QUỐC HỢPBỘ MƠN: THƠNG TIN QUANG – KHOA VIỄN THƠNG 2 Trang 18
Các Phần Tử Chuyển Đổi Quang- Điện Bán Dẫn
www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ĐỖ VĂN VIỆT EM - PHẠM QUỐC HỢPBỘ MƠN: THƠNG TIN QUANG – KHOA VIỄN THƠNG 2 Trang 19
Các Bộ Tiền Khuyếch Đại
• Bộ tiền khuếch đại trở kháng thấp:
ƒ Điện trở điển hình là 50Ω
ƒ Nhược điểm:
• điện áp nhỏ
dị hiễ ẽ ả h hưở đá kể t ê điệ t ở R• ng n u s n ng ng r n n r 
nhỏ, vì nhiễu nhiệt tỉ lệ nghịch với điện trở
www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ĐỖ VĂN VIỆT EM - PHẠM QUỐC HỢPBỘ MƠN: THƠNG TIN QUANG – KHOA VIỄN THƠNG 2 Trang 20
Các Bộ Tiền Khuyếch Đại
• Bộ tiền khuếch đại trở kháng thấp:
ƒ Điện trở lớn hơn 50Ω
ƒ Chuyển đổi dịng cĩ cường độ yếu thành áp
ƒ Nếu trở kháng cao quá lớn thì dịng tối của photodidoe
cĩ thể gây cho photodiode bảo hồ
ƒ Để trách sự bảo hồ, PIN phải duy trì áp phân cực ít
nhất vài vơn.
www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ĐỖ VĂN VIỆT EM - PHẠM QUỐC HỢPBỘ MƠN: THƠNG TIN QUANG – KHOA VIỄN THƠNG 2 Trang 21
Các Bộ Tiền Khuyếch Đại
• Bộ tiền khuếch đại hồi tiếp:
ƒ Độ nhạy cao và băng thơng lớn
ƒ Điện trở R đĩng vai trị chuyển đổi dịng thành áp
ƒ Tạo áp ở ngõ ra tỉ lệ với dịng photon. 
L i bỏ ả h hưở điệ d ký i h ủ dâ dẫ àƒ oạ n ng n ung s n c a y n v 
của diode
www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ĐỖ VĂN VIỆT EM - PHẠM QUỐC HỢPBỘ MƠN: THƠNG TIN QUANG – KHOA VIỄN THƠNG 2 Trang 22
Nhiễu Trong Bộ Thu Quang
• Tỷ số tín hiệu trên nhiễu SNR (signal-to-noise ratio):
>< 22 4/ SSSignal iRiPS
• SNR độc lập với giá trị điện trở
><== 22 4/ NNNoise iRiPN
Ỉ chỉ cần tính giá trị dịng trung bình bình phương.
• Hai cơ chế gây nhiễu trên photodiode:
ƒ Nhiễu nổ (shot noise): tổng hợp của nhiễu lượng tử 
(quantum noise) và nhiễu dịng tối (dark current noise)
ƒ Nhiễu nhiệt (thermal noise)
www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ĐỖ VĂN VIỆT EM - PHẠM QUỐC HỢPBỘ MƠN: THƠNG TIN QUANG – KHOA VIỄN THƠNG 2 Trang 23
Nhiễu Trong Bộ Thu Quang
• Tổng dịng nhiễu bình phương trung bình ở ngõ ra 
của photodiode:
T đĩ
>>=<< 2222 tdqN IIII
rong ,
: nhiễu lượng tử
: nhiễu dịng tối
)(2 22 MFBMeII pq >=<
)(2 22 MFBMeII dd >=< 
(M: hệ số nhân thác lũ của APD; F(M) = Mx: hệ số nhiễu của APD, 
x = 0,3 - 0,5 đối với APD silicon và 0,7 -1 đối với APD germanium)
: nhiễu nhiệt
L
t R
KTFnBI 42 >=<
www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ĐỖ VĂN VIỆT EM - PHẠM QUỐC HỢPBỘ MƠN: THƠNG TIN QUANG – KHOA VIỄN THƠNG 2 Trang 24
Nhiễu Trong Bộ Thu Quang
• Dịng tín hiệu bình phương trung bình:
22
0
2 )()( MRPI =
trong đĩ, R: đáp ứng của PD; P0: cơng suất quang ngõ vào.
p
• Tỷ số SNR được đánh giá thơng qua biểu thức sau:
I )( 222
LdpN
p
RKTFnBMFBMIIe
MRP
I
SNR
/4)()(2
)(
2
0
2 ++=><=
• Nếu bộ thu sử dụng PIN, M và F(M) bằng 1
www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ĐỖ VĂN VIỆT EM - PHẠM QUỐC HỢPBỘ MƠN: THƠNG TIN QUANG – KHOA VIỄN THƠNG 2 Trang 25
Nhiễu Trong Bộ Thu Quang
• Trong một số trường hợp thực tế, nhiễu nổ rất bé so với 
nhiễu nhiệt
Ỉ nhiễu nhiệt ảnh hưởng chủ yếu đến chất lượng bộ thu 
• Khi đĩ: 
RPRSNR L )(
2
0=
• SNR thay đổi theo (P0)
KTFnB4
• Cải thiện SNR bằng cách: tăng điện trở tải
Ỉ hầu hết các bộ thu sử dụng bộ tiền khuếch đại cĩ trở 
khá õ àng ng v o cao
www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ĐỖ VĂN VIỆT EM - PHẠM QUỐC HỢPBỘ MƠN: THƠNG TIN QUANG – KHOA VIỄN THƠNG 2 Trang 26
Nhiễu Trong Bộ Thu Quang
• Cơng suất nhiễu tương đương NEP (Noise Equivalent 
Power):
Mức cơng suất tối thiểu trên một đơn vị băng thơng cầnƒ 
thiết để tạo ra SNR =1
4KTFP
2
0
RRB
NEP
L
n==
ƒ Xác định cơng suất quang cần thiết để đạt được giá trị 
SNR cần thiết nếu băng thơng B biết trước
ƒ Giá trị điển hình của NEP là từ 1 10 pW/(Hz)1/2 – 
www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ĐỖ VĂN VIỆT EM - PHẠM QUỐC HỢPBỘ MƠN: THƠNG TIN QUANG – KHOA VIỄN THƠNG 2 Trang 27
Các Tham Số Của Bộ Thu Quang
• Tỷ số bit lỗi BER (Bit Error Ratio): 
T
í
n
h
i
ệ
u
T
h
i
ệ
u
T
í
n
h
(a) Tín hiệu tái tạo được ở bộ thu
(b) Mật độ phân bố xác suất Gaussian của bit 1 và 0
www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ĐỖ VĂN VIỆT EM - PHẠM QUỐC HỢPBỘ MƠN: THƠNG TIN QUANG – KHOA VIỄN THƠNG 2 Trang 28
 . 
Các Tham Số Của Bộ Thu Quang
• Tỷ số bit lỗi BER (Bit Error Ratio): 
ƒ tD là thời điểm lấy mẫu để quyết định bit
ẫƒ Giá trị m u dao động xung quang giá trị I0 đối với bit 0 
và giá trị I1 đối với bit 1.
ƒ Mạch quyết định bit sẽ so sánh giá trị mẫu I với giá trị 
ngưỡng ID:
• Nếu I > ID thì quyết định đĩ là bit 1
• Nếu I < ID thì quyết định đĩ là bit 0
ƒ Lỗi xảy ra nếu:
I < I trong trường hợp bit 1 hoặc• D 
• I > ID trong trường hợp bit 0
www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ĐỖ VĂN VIỆT EM - PHẠM QUỐC HỢPBỘ MƠN: THƠNG TIN QUANG – KHOA VIỄN THƠNG 2 Trang 29
Các Tham Số Của Bộ Thu Quang
• Tỷ số bit lỗi BER (Bit Error Ratio): 
ƒ Xác suất lỗi:
BER = p(1)P(0/1) + p(0)P(1/0)
Trong đĩ:
• p(0) và p(1) là xác suất nhận bit 0 và bit 1.
• P(0/1) là xác suất quyết định bit 0 khi nhận bit 1
P(1/0) là xác suất quyết định bit 1 khi nhận bit 0• 
ƒ Nếu p(1) = p(0) tức xác suất nhận bit 1 và 0 bằng , 
nhau:
BER = ½ [P(0/1) + P(1/0)]
www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ĐỖ VĂN VIỆT EM - PHẠM QUỐC HỢPBỘ MƠN: THƠNG TIN QUANG – KHOA VIỄN THƠNG 2 Trang 30
Các Tham Số Của Bộ Thu Quang
• Tỷ số bit lỗi BER (Bit Error Ratio): 
ƒ P(0/1) và P(1/0) phụ thuộc vào hàm mật độ xác suất
(I) ủ iá ị ẫ Ip c a g tr m u .
ƒ Dạng hàm p(I) phụ thuộc vào thống kê nguồn nhiễu tác
động lên dịng tín hiệu.
ƒ Nhiễu nhiệt It: thống kê dạng Gaussian cĩ trị trung bình
bằng 0 và phương sai σ2t.
ƒ Nhiễu nỗ Is: thống kê xấp xỉ dạng Gaussian đối với
photodiode PIN với phương sai σ2s.
Ỉgiá trị mẫu I cĩ hàm mật độ phân bố xác suất Gaussian
với phương sai:
σ2 = σ2t + σ2s.
www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ĐỖ VĂN VIỆT EM - PHẠM QUỐC HỢPBỘ MƠN: THƠNG TIN QUANG – KHOA VIỄN THƠNG 2 Trang 31
Các Tham Số Của Bộ Thu Quang
• Tỷ số bit lỗi BER (Bit Error Ratio): 
ƒ Giá trị trung bình và phương sai của bit 1 và bit 0 là
khá h ì I h h ộ à bi hậ đc n au v p p ụ t u c v o t n n ược.
ƒ Nếu gọi σ20 và σ21 lần lược là phương sai dịng tín hiệu
nhận được ứng với bit 0 và bit 1 ta cĩ:,
⎟⎟⎠
⎞
⎜⎜⎝
⎛ −=⎟⎟⎠
⎞
⎜⎜⎝
⎛ −−= ∫
∞− 22
1
2
)(exp
2
1)1/0(
1
1
2
1
2
1
1 σσπσ
D
I IIerfcdIIIP
D
⎟⎟⎠
⎞
⎜⎜⎝
⎛ −=⎟⎟⎠
⎞
⎜⎜⎝
⎛ −−= ∫∞ 22
1
2
)(
exp
2
1)0/1(
0
0
2
0
2
0
0 σσπσ
II
erfcdI
II
P D
ID
ƒ Trong đĩ, : hàm xác suất lỗi bù∫∞ −=
x
dzzxerfc )exp(2)( 2π
www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ĐỖ VĂN VIỆT EM - PHẠM QUỐC HỢPBỘ MƠN: THƠNG TIN QUANG – KHOA VIỄN THƠNG 2 Trang 32
Các Tham Số Của Bộ Thu Quang
• Tỷ số bit lỗi BER (Bit Error Ratio): 
ỗ
⎤⎡ ⎟⎞⎜⎛ −⎟⎞⎜⎛ −1 IIIIƒ Xác suất l i:
BER h th ộ à ưỡ ết đị h I
⎥⎥⎦⎢
⎢
⎣ ⎟⎠⎜⎝
+⎟⎠⎜⎝
=
224 0
0
1
1
σσ erfcerfcBER
DD
ƒ p ụ u c v o ng ng quy n D
Ỉ chọn ID sao cho BER là nhỏ nhất
ƒ BER nhỏ nhất khi I thỏa mãn phương trình: D 
⎟⎟⎠
⎞
⎜⎜⎝
⎛+−=−
0
1
2
1
2
1
2
0
2
0 ln
2
)(
2
)(
σ
σ
σσ
DD IIII
ƒ Nếu σ0=σ1=σ; I0 = 0 và ID = I1/2: ⎟⎠
⎞⎜⎝
⎛=
222
1 1
σ
IerfcBER
www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ĐỖ VĂN VIỆT EM - PHẠM QUỐC HỢPBỘ MƠN: THƠNG TIN QUANG – KHOA VIỄN THƠNG 2 Trang 33
Các Tham Số Của Bộ Thu Quang
• Mối quan hệ giữa BER và SNR:
ƒ SNR điện ở bộ thu quang:
2
Biể diễ tỷ ố lỗi bit BER th tỷ ố SNR
2
1
σ
ISNR =
ƒ u n s eo s :
hoặc⎟⎟
⎞
⎜⎜
⎛= 1 SNRerfcBER ⎟⎟
⎞
⎜⎜
⎛= SNRQBER
với Q(x) là hàm xác xuất lỗi:
⎠⎝ 222 ⎠⎝ 2
∫∞ −=
x
duuxQ )
2
exp(
2
1)(
2
π )2(2
1)( xerfcxQ =
www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ĐỖ VĂN VIỆT EM - PHẠM QUỐC HỢPBỘ MƠN: THƠNG TIN QUANG – KHOA VIỄN THƠNG 2 Trang 34
Các Tham Số Của Bộ Thu Quang
• Hàm xác suất lỗi Q(x): cĩ thể xác định dưới dạng bảng 
hoặc đồ thị
• Nếu SNR càng cao thì BER càng nhỏ, tức hệ thống cĩ chất 
lượ àng c ng cao 
www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ĐỖ VĂN VIỆT EM - PHẠM QUỐC HỢPBỘ MƠN: THƠNG TIN QUANG – KHOA VIỄN THƠNG 2 Trang 35
Các Tham Số Của Bộ Thu Quang
• Bảng xác suất lỗi của hàm Q(x):
www.ptit.edu.vn GIẢNG VIÊN: ĐỖ VĂN VIỆT EM - PHẠM QUỐC HỢPBỘ MƠN: THƠNG TIN QUANG – KHOA VIỄN THƠNG 2 Trang 36