Ảnh hưởng của nhiệt độ đến tính chất quang điện của môđun pin mặt trời

SCIENCE TECHNOLOGY 
Số 52.2019 ● Tạp chí KHOA HỌC & CÔNG NGHỆ 3
ẢNH HƯỞNG CỦA NHIỆT ĐỘ ĐẾN TÍNH CHẤT QUANG ĐIỆN 
CỦA MÔĐUN PIN MẶT TRỜI 
THE EFFECT OF TEMPERATURE ON THE DARK PROPERTIES OF PHOTOVOLTAIC SOLAR MODULES 
Nguyễn Thế Vĩnh*, Trần Ngân Hà 
TÓM TẮT 
Các đặc điểm thuận nghịch của cường độ dòng điện - điện áp (I-V) và điện 
dung - điện áp (C-V) của các môđun pin mặt trời silicon vô định hình đã được đo 
đạc nhằm nghiên cứu hiệu suất của chúng dưới ảnh hưởng của sự thay đổi nhiệt 
độ do tiếp xúc trực tiếp với nguồn nhiệt hoặc bị che khuất. Nhiệt độ môđun tác 
động trực tiếp đến cường độ dòng rò thuận nghịch. Các điểm hư hại và quá nhiệt 
của môđun năng lượng mặt trời, liên quan đến hiệu ứng nhiệt, cũng được ghi lại 
và thảo luận. Bằng chứng thực nghiệm cho thấy các mức nhiệt độ khác nhau 
được xác nhận là yếu tố suy giảm chính ảnh hưởng đến hiệu suất, hiệu quả và 
năng lượng của pin mặt trời. 
Từ khóa: Pin/môđun mặt trời, silicon, nhiệt độ, đặc tính cường độ - điện áp, 
đặc tính điện dung - điện áp. 
ABSTRACT 
Forward and reverse dark current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-
V) characteristics of commercial amorphous silicon solar modules were measured 
in order to study their performance under the influence of temperature changes 
due to direct exposure to heat or to shading. Applied module temperatures were 
directly related to the amount of each of the forward and reverse leakage 
currents, respectively. Hot spots defects and overheating of the solar module, 
linked to thermal effects, were also documented and discussed. Experimental 
evidence showed that different levels of temperatures are confirmed to be a 
major degrading factor affecting the performance, efficiency, and power of solar 
cells and modules. 
Keywords: Solar cells/modules, silicon, temperature, current - voltage 
characteristics, capacitance - voltage characteristics. 
Trường Đại học Công nghiệp Quảng Ninh 
 *Email: vinhnt@qui.edu.vn 
Ngày nhận bài: 05/4/2019 
Ngày nhận bài sửa sau phản biện: 30/5/2019 
Ngày chấp nhận đăng: 10/6/2019 
1. ĐẶT VẤN ĐỀ 
Pin năng lượng mặt trời có thể được coi như là một điốt 
với vùng tiếp giáp silicon p-n diện tích lớn hơn với điện áp 
quang 0,6V, được tạo ra bởi sự lệch vị trí của các electron 
như một kết quả của các photon tới. Mặt khác, khi xem xét 
kiến trúc của toàn bộ một hệ thống cảm biến quang điện, 
panel hay nguồn, pin quang điện gồm nhiều khối, chúng 
có thể được sắp đặt vào các tổ hợp khác nhau, trong chuỗi 
và/hoặc song song với nhau để đạt được điện áp và cường 
độ theo yêu cầu về công suất phát và đặc tính của tải. Mỗi 
một môđun là một khối cơ bản của hệ thống năng lượng 
mặt trời. Môđun có thể được sắp xếp theo nhóm để tạo 
thành một tấm panel mặt trời. Khi được kết nối theo chuỗi 
để đạt được điện áp cao hơn, các môđun được gọi là chuỗi 
năng lượng mặt trời; các chuỗi này được nhóm song song 
với nhau để đạt mức năng lượng cao hơn sẽ tạo nên mảng 
năng lượng mặt trời. 
Trong một máy phát quang điện cỡ lớn, đa phần pin 
quang điện thương mại được tạo nên từ các vật liệu bán 
dẫn silicon màng mỏng đơn tinh thể, đa tinh thể và vô 
định. Tính chất vật lý và điện của silicon bán dẫn vô cùng 
nhạy cảm với nhiệt độ và sự thay đổi của nó. Các kết quả thí 
nghiệm [1, 2, 3, 5] cho thấy rằng, tính chất và hiệu quả của 
môđun quang điện bị ảnh hương mạnh mẽ bởi sự thay đổi 
nhiệt độ. Khi nhiệt độ của một môđun tăng lên, dòng điện 
ngắn mạch Isc tăng nhẹ, trong khi điện áp mạch hở Voc giảm 
đáng kể trong đường cong I-V [6, 7]. Theo đó, sự thay đổi 
trong tính chất I-V ở mức nhiệt cao hơn sẽ làm giảm đi 
năng lượng đầu ra tối đa Pmax của môđun. Thông thường, 
thay đổi trong thông số quang điện được trình bày theo giá 
trị dương hoặc âm hoặc tỷ lệ phần trăm trên mỗi độ C [8]. 
Trình bày định lượng các hiệu ứng nhiệt độ trên các thông 
số quang điện cho thấy dòng quang điện tăng lên theo 
nhiệt độ tại 0,1% oC-1 do sự giảm độ rộng vùng hạn chế 
nhiệt của pin mặt trời và điện áp hở mạch giảm ở 2mVoC-1 
trong khoảng từ 20 đến 100oC không chỉ bởi sự giảm độ 
rộng vùng hạn chế mà còn do sự gia tăng của dòng bão 
hòa. Hại hiệu ứng này dẫn đến sự suy giảm 0,35% oC-1 trong 
mức năng lượng tối đa có thể đạt được như tài liệu tham 
khảo [9]. Các thông số này sau đó được phân tích để đạt 
được cái gọi là nhiệt độ tới hạn của một môđun quang điện 
nhất định, theo đó nó có thể hoạt động trong điều kiện làm 
việc được tối ưu hóa. 
Nhiệt độ và những thay đổi của nó trong môđun quang 
điện là đặc trưng của nhiều yếu tố bên ngoài và bên trong 
như nhiệt độ môi trường, độ ẩm, dòng ngược và nhiều yếu 
tố khác liên quan đến điều kiện hoạt động. Một loạt các bài 
kiểm tra tiêu chuẩn được phát triển để xác định và đo 
lường những thay đổi này [10], ví dụ như: đo lường hệ số 
 CÔNG NGHỆ 
 Tạp chí KHOA HỌC & CÔNG NGHỆ ● Số 52.2019 4
KHOA HỌC
nhiệt độ, đo nhiệt độ pin hoạt động danh nghĩa (NOCT), 
hiệu quả của pin được thử nghiệm trong điều kiện thử 
nghiệm tiêu chuẩn (STC) và (NOCT), khi chiếu xạ thấp hoặc 
phơi ngoài trời. Một vài các thông số khác của pin thường 
được xem xét là độ bền tới hạn, tiếp xúc với tia cực tím, chu 
kỳ nhiệt, độ ẩm và nhiệt ẩm. Danh sách này không kiểm tra 
toàn diện và các thử nghiệm khác có thể được thực hiện 
trên đặc tính pin, đặc biệt là khi cân nhắc các yếu tố môi 
trường của pin, chẳng hạn như các diodes nối tắt và các 
đặc tính nhiệt của chúng. Thiết kế và phê duyệt kiểu của 
môđun phải tuân thủ yêu cầu của các tiêu chuẩn IEC 
61215:2005/IEC 61646:2008, và ASTM E11771 [10]. Các 
phân tích sâu rộng và các thử nghiệm về đặc tính I-V của 
pin mặt trời và môđun vẫn còn thiếu sót nhưng cần thiết, vì 
các phép đo dữ liệu I-V cung cấp thêm thông tin chức năng 
về tế bào và môđun cho mục đích chẩn đoán. Sự đóng góp 
dòng điện tập trung vào phép đo định lượng thực nghiệm 
về tác động của sự thay đổi nhiệt độ cùng với các hiệu ứng 
nhiệt khác do dòng điện ngược được chọn, trên các đặc 
tính I-V. Điều này được thực hiện bằng cách áp dụng các 
mức nhiệt độ tăng dần, có và không có hiệu ứng dòng điện 
ngược theo hướng dòng điện tử ngược của các môđun 
năng lượng mặt trời được thu thập. Mục đích của phương 
pháp thử nghiệm này, đi kèm với mô hình hóa các hiện 
tượng, là mô phỏng sự quá nhiệt có hại và sự phân cực 
ngược ảnh hưởng đến môđun trong một khoảng thời gian 
nhất định. Các kết quả và thảo luận sau đây sẽ làm rõ ảnh 
hưởng của sự thay đổi nhiệt độ đến đặc tính vật liệu và 
đóng góp cho các nghiên cứu khoa học và kỹ thuật về việc 
cải thiện hiệu quả của pin mặt trời quang điện. 
2. THÍ NGHIỆM 
Để mô tả các tác động nhiệt đến các tính quang điện, 
các môđun năng lượng mặt trời quang điện, làm từ silicon 
vô định hình phổ biến trên thị trường. Các môđun di động 
này được xây dựng với bốn ô nối tiếp với một môđun có 
kích thước 1,1 x 13,7 x 35,1 mm; bảng thông số kỹ thuật của 
môđun cung cấp các thông số kỹ thuật sau trong điều kiện 
thử nghiệm 200 lx và ở 25oC: Vop = 1,5 V, Iop = 11,5 μA, 
Voc = 2 V, Isc = 14 μA và P = 17,25 μWatt, với đường nối tiếp 
giáp n - p. Cả hai mối nối cuối đều được hàn bạc để đảm 
bảo khả năng dẫn dòng tốt nhất và giảm tổn thất. Trong 
các thí nghiệm, năm mức nhiệt độ 25oC, 50oC, 75oC, 100oC 
và 150oC đã được tác động vào môđun trong buồng kín 
được cách nhiệt. Hiệu ứng nhiệt độ được tiến hành gián 
tiếp đến các tế bào quang điện. Các đặc tính quang điện 
của I-V và C-V được đo trong 10 phút sau khi ổn định ở mức 
nhiệt độ đã cho trong tám lần liên tiếp. Đầu dò kỹ thuật số 
nhiệt độ theo dõi nhiệt độ bề mặt của môđun trong suốt 
thí nghiệm. Mục đích chính của nghiên cứu là phân tích 
hiệu suất của môđun quang điện bằng cách xem xét ảnh 
hưởng của nhiệt độ tương tự như các hư hại làm suy giảm 
các hệ số; do đó, điều quan trọng cần lưu ý là các phép đo I-
V được thực hiện trong bóng tối thay vì dưới ánh sáng. Các 
phép đo I-V cung cấp thông tin quan trọng về các đặc tính 
bên trong của các tế bào quang điện được coi là một tiếp 
giáp p-n. Nó tránh các tác động trực tiếp và gián tiếp của 
các dao động ánh sáng tại nguồn của các chất quang điện 
và biến động nhiệt độ, ảnh hưởng cuối cùng là nguồn gây 
nhiễu trong các phép đo điện. 
Hình 1. Mạch tương đương của một tế bào quang điện 
Các mô hình dựa trên mạch tương đương như vậy chủ 
yếu được sử dụng cho theo dõi điểm công suất tối đa 
(MPPT). Mạch tương đương của mô hình chung được biểu 
thị trong hình 1, bao gồm một dòng quang, một điốt, một 
điện trở song song biểu thị một dòng rò và một điện trở 
nối tiếp mô tả điện trở trong. Mô hình một điốt cổ điển của 
pin mặt trời là không đủ và không có giá trị để xử lý các vấn 
đề về dòng điện ngược, hiệu ứng nhiệt độ và hiệu ứng 
bóng tổng hoặc một phần trên các tế bào. Một mô tả toán 
học chính xác hơn về pin mặt trời, được gọi là mô hình hàm 
mũ, được suy ra từ các trạng thái vật lý của pin mặt trời 
silicon đa tinh thể. Mô hình này bao gồm hai điốt D1 và D2 
[6], nó cho phép xem xét độ khuếch tán ngược mật độ 
dòng bão hòa J01 và dòng bão hòa ngược tái tổ hợp J02, 
tương ứng, một điện trở nối tiếp Rs và điện trở RSH được tính 
đến trong tính toán cùng với hệ số lý tưởng tiếp giáp A. Dữ 
liệu đầu vào được đưa vào phần mềm được thiết kế đặc 
biệt để thực hiện các phép tính số dựa trên mô hình hàm 
mũ của tiếp giáp p-n được xây dựng theo phương trình sau 
của tổng dòng điện I: 
s
01
T
s s
02
T s
V R .II j exp 1
V
V R .I V R .Ij exp 1
AV R
 (1) 
Trong phương trình (1), V và VT = kT/q lần lượt là các 
điện áp tế bào và nhiệt, với T nhiệt độ làm việc của tế bào; 
Q là điện tích cơ bản Q = 1,602177.10-19 (C) và k là hằng số 
của Boltzmann, k = 1,380662.10-23 (J/K). 
3. KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN 
Một pin mặt trời trong bóng tối có thể coi như là hai 
điốt. Hình 2a và 2b là các đặc tính I-V thu được bằng thực 
nghiệm trên môđun được thử nghiệm ở hai nhiệt độ 50°C 
(hình 2a) và 100°C (hình 2b) đóng vai trò là tác động nhiệt. 
Năm đường cong được thể hiện trên mỗi con số. Lần đầu 
tiên được ghi lại tại thời điểm ban đầu (t = 0) và các lần 
khác tại thời điểm khác nhau của tác động (t = 20, 40, 60, 80 
mn). Các đặc điểm được đưa ra trên quy mô bán logarith. 
Quan sát những thay đổi đáng kể khác nhau giữa các đặc 
SCIENCE TECHNOLOGY 
Số 52.2019 ● Tạp chí KHOA HỌC & CÔNG NGHỆ 5
tính thu được ở một nhiệt độ nhất định và giữa đường đặc 
tính ở hai nhiệt độ khác nhau. 
a) 
b) 
Hình 2. Đặc điểm I-V của môđun quang điện dưới tác động nhiệt, I được 
trình bảy theo thang đo logarith: a) Ở nhiệt độ 50oC; b) Ở nhiệt độ 100oC 
Xem xét so sánh đầu tiên được đề cập ở trên, ở nhiệt độ 
cố định 50°C (hình 2a) và 100°C (hình 2b), quan sát trong cả 
hai hình, trong các đặc điểm I-V có hai khu vực chính có thể 
liên kết với những thay đổi đáng kể trong các cơ chế dẫn. 
Vùng đầu tiên nằm trong phạm vi điện áp rất nhỏ từ 0,1-2V 
tương ứng với VOC của môđun như được đưa ra bởi nhà sản 
xuất. Vùng thứ hai là vùng kéo dài từ khoảng 2V đến điện 
áp đo tối đa là 6V. Hai vùng này có thể được giải thích bằng 
sự rò rỉ dòng khuếch tán trong môđun, đó là kết quả của sự 
thay đổi tốc độ tái hợp điện tích ở các bề mặt chất bán dẫn. 
Điều quan trọng cần lưu ý là mô hình trong các kết quả 
hiệu ứng nhiệt độ dường như tương tự với kết quả đạt 
được bằng các kết quả dòng ngược trước đó. 
Bây giờ, xem xét so sánh thứ hai của các kết quả thí 
nghiệm như được đề xuất ở trên như đặc trưng của nhiệt 
độ, được trình bày đầy đủ cho hai cấp nhiệt độ 50 và 100oC 
ở hình 2a và 2b. Việc dần dần thay đổi nhiệt độ lên trên 
25oC đã gây ra lượng rò rỉ dòng bắt đầu tăng lên và liên tục 
từ khoảng thời gian 10 phút đầu tiên của thí nghiệm và tiếp 
tục với mẫu này lên đến 80 phút. Rò rỉ dòng điện này bắt 
đầu từ thứ tự 10-8A cho nhiệt độ 50oC và tăng dần từ 10-7 
đến 10-6A cho nhiệt độ 100oC. 
Hình 3. Đặc tính I-V của môđun quang điện dưới tác động của nhiệt độ trong 
10 phút 
Những thay đổi bắt đầu xảy ra đối với các đường cong 
được ghi lại cho thấy thiệt hại càng nghiêm trọng hơn, do 
ảnh hưởng của nhiệt độ đã xảy ra đối với pin mặt trời. Hiệu 
ứng này được thực hiện trong một thời gian đủ ngắn, cho 
đến khi điện áp khuếch tán bắt đầu giảm đáng kể, khiến 
môđun hoạt động với công suất và hiệu suất thấp hơn. 
Để hoàn thành phân tích kết quả về ảnh hưởng của sự 
thay đổi nhiệt độ đến các đặc tính chuyển tiếp của môđun 
quang điện, dòng điện thuận được vẽ so với điện áp thuận 
trong hình 3, sử dụng thang đo tuyến tính, trong cùng 
khoảng thời gian hiệu suất và các khoảng nhiệt độ khác 
nhau. Quan sát hình 3 thấy rằng, với một điện áp nhất định, 
dòng điện thuận tăng theo nhiệt độ. Điều này chủ yếu do 
sự rò rỉ dòng điện, xảy ra ở điện áp hoạt động thấp hơn khi 
nhiệt độ tác động tăng lên, do sự gia tăng hoạt tính của các 
phân tử trong vật liệu và lớp tiếp giáp. 
a) 
 CÔNG NGHỆ 
 Tạp chí KHOA HỌC & CÔNG NGHỆ ● Số 52.2019 6
KHOA HỌC
b) 
Hình 4. Đặc tính I-V ngược của môđun quang điện dưới tác động của nhiệt 
độ: a) Ở nhiệt độ 50oC; b) Ở nhiệt độ 100oC 
Hình 4a và 4b trình bày về các đặc tính ngược của các 
môđun được thử nghiệm dưới tác động nhiệt độ với các giá 
trị tương ứng 50oC và 100oC, được vẽ theo tỷ lệ tuyến tính. 
Những đường cong này cũng tương tự với các cấp nhiệt độ 
khác. Ở đây, các đường cong của dòng điện ngược tăng giá 
trị cao hơn ngay từ khi bắt đầu chịu tác động của nhiệt độ, so 
với giá trị ban đầu khi chưa chịu tác động của nhiệt độ. Sự 
thay đổi này đi chệch hướng và duy trì trong một phạm vi 
nhất định khi thời gian chịu tác động tăng lên. Sự gia tăng 
đáng kể của dòng điện ngược này đã được quan sát thấy sau 
10 phút chịu tác động, đó là thời gian đủ để tạo ra các hiệu 
ứng nhiệt cần thiết và sau đó biến đổi này trở nên nhỏ hơn 
trong các giai đoạn tiếp theo đến một mức độ nhất định 
được coi là có giá trị không đáng kể. Điều này là do sự suy 
giảm của các hiệu ứng nhiệt độ đối với hiệu suất của pin 
hoặc môđun, tạo ra một ảnh hưởng đáng kể ngay từ đầu. Ở 
đây, một vài phần của môđun được nung nóng hoặc thậm 
chí bị đốt cháy (tùy thuộc vào nhiệt độ tác động) để tạo 
thành một kênh dẫn dòng nơi các điện tích thoát qua các 
điểm giới hạn này một khi chúng được tạo ra, mà không làm 
hỏng các khu vực khác. Đây là lý do tại sao thời gian chịu tác 
động lâu hơn nhưng sự phá hỏng không tăng lên, tuy nhiên 
trên thực tế, mặc dù dòng ngược đang tăng theo thời gian, 
nhưng dường như các lớp tiếp giáp đang duy trì và các điểm 
bị cháy không rò rỉ đủ dòng điện ngược. Điều quan trọng 
cần lưu ý là các hiệu ứng nhiệt độ có thể đảo ngược sau khi 
loại bỏ tác động nhiệt với một số rò rỉ dòng điện, trừ khi xảy 
ra dòng điện đánh thủng tiếp giáp. 
Trong hình 5a, sự thay đổi của các đường cong, tại các 
thời điểm tác động khác nhau rất nhỏ vì điện dung thay đổi 
từ khoảng 6.10-9 và 7.10-9F đến vô cùng trong khoảng từ 
-5 V đến +5 V. Nhưng trong hình 5b, thiết bị chịu tác động 
bởi nhiệt độ cao hơn, sự biến đổi trở nên đáng chú ý hơn vì 
có dòng rò cao hơn trong môđun ảnh hưởng đến điện 
dung của nó. Trên thực tế, miễn là điện áp trên môđun nhỏ 
hơn điện áp hoạt động, các giá trị điện dung không bị lệch 
khi không còn tác động. Sau đó, ở nhiệt độ cao hơn, các 
hiệu ứng nhiệt dường như trở nên rõ ràng khi các đường 
cong điện dung bắt đầu lệch và tăng mạnh về phía vô cực 
ở điện áp thấp hơn (khoảng 2V) khi một dòng điện bắt đầu 
chảy theo chiều thuận. 
a) 
b) 
Hình 5. Đặc tính C-V của môđun quang điện dưới tác động của nhiệt độ: a) Ở 
nhiệt độ 50oC; b) Ở nhiệt độ 100oC 
4. KẾT LUẬN 
Kết quả nghiên cứu cho thấy hiệu suất pin năng lượng 
mặt trời phụ thuộc đáng kể vào nhiệt độ. Các đặc tính của 
môđun dưới tác động của nhiệt độ hiển thị bởi các đường 
đặc tính I - V hay các đường đặc tính C - V được xác định 
bằng thực nghiệm. Ngoài ra, khi các tấm pin mặt trời chịu 
tác động của nhiệt độ cao sẽ dẫn đến các hư hại đáng kể 
cho các tế bào quang điện. Khi đó sẽ xuất hiện các dòng rò 
ở trong các lớp tiếp giáp. Dòng rò trên môđun ngày càng 
tăng đủ để có thể quan sát thấy khi các vật mẫu chịu sự tác 
động của nhiệt lớn dần. 
SCIENCE TECHNOLOGY 
Số 52.2019 ● Tạp chí KHOA HỌC & CÔNG NGHỆ 7
TÀI LIỆU YHAM KHẢO 
[1]. Nordmann, T., & Clavadetscher, L., 2003. Understanding temperature 
effects on PV systems performance. Paper presented at the 3rd world conference 
on Photovoltaic Energy Conversion, 11-18 May 2003, Osaka, Japan. 
[2]. Friesen, G., Zaaiman, W., & Bishop, J., 1998. Temperature behaviour of 
photovoltaic parameters. Proc. of the 2nd World Conference on Photovoltaic Solar 
Energy Conversion, 6-10 July 1998, Wien, Austria. 
[3]. Saengprajak, A., & Pattanasethanon, S., 2009. The low temperature 
analysis of the used PV modules during on-site generation in Thailand. Journal of 
Applied Sciences. 9(22), 3966-3974. 
[4]. Sharri, S., Sopian, K., Amin, N., & Kassim, M., 2009. The temperature 
dependence coefficients of amorphous silicon and crystalline photovoltaic modules 
using Malaysian field test investigation. American Journal of Applied Sciences 
6(4), 586-593. 
[5]. Özdemir, S. and Dökme, I., & Altındal, S., 2011. The forward bias current 
density- voltage-temperature (J-V-T) characteristics of Al-SiO2-pSi (MIS) Schottky 
diodes. International Journal of Electronics, 98-6, 699-712. 
[6]. Taherbaneh M., Rezaie A. H., Ghafoorifard H., Rahimi K., Menhaj M. B., & 
Milimonfared, J. M., 2011. Evaluation of two-diode-model of a solar panel in a 
wide range of environmental conditions. InternationalJournal of Electronics, 983, 
357-377., 
[7]. Zegaoui, A., Aillerie, M., Petit, P., Sawicki, J. -P., Charles, J. P., Belarbi, A. 
W., 2011. Dynamic behaviour of PV generator trackers under irradiation and 
temperature changes. Solar Energy, 85(11), 2953-2964. 
[8]. Mahanama, G. D. K., & Reehal, H. S., 2005. Dark and illuminated 
characteristics of crystalline silicon solar cells with ECR plasma CVD deposited 
emitters. International Journal of Electronics, 92(9), 525-537. 
[9]. Andreev, V., Grilikhes, V., & Rumyanstev, V., 1997. Handbook of 
photovoltaic science and engineering. John Wiley and Sons, ISBN: 978-0-471-
96765-1, UK. 
[10]. Rheinland TÜV., 2009. Design qualification and type approval of PV 
modules according to 61215:2005/IEC 61646:2008. TÜV Rheinland 
Immissionsschutz und Energiesysteme Gmbh. Renewable Energies, 1-5. 
[11]. www.solar- academy.com/menuis/IEC_61215_61646022540.pdf 
AUTHORS INFORMATION 
Nguyen The Vinh, Tran Ngan Ha 
Quang Ninh University of Industry